El diodo láser semiconductor de 940 nm y 20 W se ha desarrollado para aplicaciones de bombeo, médicas o de procesamiento de materiales. Este láser de diodo ha sido diseñado para entregar una potencia de salida muy alta para el mercado de láser de fibra y para los fabricantes de sistemas directos con una configuración de bomba más compacta. Varias potencias de salida están disponibles. Longitudes de onda y configuraciones personalizadas disponibles a pedido.
El diodo láser semiconductor de 940 nm y 20 W se ha desarrollado para aplicaciones de bombeo, médicas o de procesamiento de materiales. Este láser de diodo ha sido diseñado para brindar una potencia de salida muy alta para el mercado de láser de fibra y para los fabricantes de sistemas directos con una configuración de bomba más compacta. Varias potencias de salida están disponibles. Longitudes de onda y configuraciones personalizadas disponibles a pedido.
El diodo láser semiconductor de 940 nm y 20 W se ha desarrollado para aplicaciones de bombeo, médicas o de procesamiento de materiales. Este láser de diodo ha sido diseñado para brindar una potencia de salida muy alta para el mercado de láser de fibra y para los fabricantes de sistemas directos con una configuración de bomba más compacta. Varias potencias de salida están disponibles. Longitudes de onda y configuraciones personalizadas disponibles a pedido.
longitud de onda de 940 nm;
potencia de salida de 20W;
diámetro del núcleo de fibra de 105 µm;
0.22NA.
bombeo láser;
uso médico;
Procesamiento de materiales.
Parámetro | Símbolo | mín. | tip. | máx. | Unidad |
Potencia de salida operativa | Abadejo | 20.0 | - | - | W |
Rango de longitud de onda disponible | λ | 930 | 940 | 950 | Nuevo Méjico |
Ancho espectral @ FWHM | Îλ | - | 3.5 | 7.0 | Nuevo Méjico |
Umbral de corriente | Ith | - | 0.5 | 0.9 | A |
Corriente de funcionamiento en Pout | PIO | - | 12.0 | 13.0 | A |
Tensión de funcionamiento en Pout | VOP | - | 3.65 | - | V |
Eficiencia de conversión de energía | - | - | 45 | - | % |
Coeficiente de temperatura de longitud de onda | Îλ/ÎT | - | 0.3 | - | nm/â |
Eficiencia de pendiente | η | - | 2.5 | - | WASHINGTON |
Radio de curvatura de la fibra | r | 37.5 | - | - | milímetro |
Diámetro del núcleo de fibra | DCOR | - | 105/125 | - | µm/µm |
Diámetro del tampón de fibra | DBUF | - | 250 | - | micras |
Apertura numérica de fibra | N / A | - | 0.22 | - | - |
Apertura numérica del haz (95% de potencia) | si | - | 0.17 | - | N / A |
Longitud de fibra | si | - | 1.5 | - | m |
Tipo de conector | - | Nulo o SMA905 | - |
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R: Tenemos diodo láser de 793nm 808nm 915nm 975nm.
P: ¿Cuál es el requisito para la potencia de salida?R: La caja optrónica se puede personalizar según sus requisitos.
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