Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm para detección de luz infrarroja cercana. Las características incluyen alta velocidad, alta sensibilidad, bajo nivel de ruido y respuestas espectrales que van desde 1100nm a 1650nm Adecuado para una amplia gama de aplicaciones que incluyen comunicación óptica, análisis y medición.
El fotodiodo PIN InGaAs de área activa de 1 mm para la detección de luz infrarroja cercana. Las características incluyen alta velocidad, alta sensibilidad, bajo nivel de ruido y respuestas espectrales que van desde 1100nm a 1650nm Adecuado para una amplia gama de aplicaciones que incluyen comunicación óptica, análisis y medición.
Fotodiodo PIN InGaAs TO-CAN de área activa de 2 mm, fotodiodo de alta sensibilidad para uso en instrumentación infrarroja y aplicaciones de detección. Alta respuesta espectral en la región de 800 nm a 1700 nm.
El chip de fotodiodo InGaAs de 300 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
El chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
El chip de fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1 mm ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, el chip de fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1 mm es ideal para aplicaciones de redes ópticas de gran ancho de banda de 1310 nm y 1550 nm. La serie de dispositivos ofrece alta capacidad de respuesta, baja corriente oscura y gran ancho de banda para un diseño de receptor de alto rendimiento y baja sensibilidad. Este dispositivo es ideal para los fabricantes de receptores ópticos, transpondedores, módulos de transmisión óptica y combinación de fotodiodo PIN y amplificador de transimpedancia.
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