La tecnología clave del diodo láser de alta potencia.
2021-07-02
Optimización del diseño estructural: los tres principios básicos de los láseres semiconductores son: inyección y confinamiento eléctrico, conversión eléctrico-óptica, confinamiento y salida ópticos, que corresponden al diseño de inyección eléctrica, diseño de pozo cuántico y diseño de campo óptico de la estructura de guía de ondas, respectivamente. La optimización de la estructura de los pozos cuánticos, los cables cuánticos, los puntos cuánticos y los cristales fotónicos ha promovido la mejora continua de la tecnología láser, haciendo que la potencia de salida y la eficiencia de conversión electroóptica de los láseres sean cada vez más altas, la calidad del haz sea cada vez mejor y más alta. fiabilidad . Tecnología de crecimiento de material epitaxial de alta calidad: la tecnología de crecimiento de material epitaxial láser semiconductor es el núcleo del desarrollo del láser semiconductor. Principalmente optimiza la curva de dopaje para reducir la superposición entre el campo óptico y la región fuertemente dopada, reduciendo así la pérdida por absorción de la portadora libre y mejorando la eficiencia de conversión del dispositivo. Tecnología de tratamiento de la superficie de la cavidad: a través de varias tecnologías de pasivación y recubrimiento de la superficie de la cavidad, reduzca o elimine los defectos y la oxidación de la superficie de la cavidad, reduzca la absorción de luz de la superficie de la cavidad, aumente el valor COMD de la superficie de la cavidad y logre una salida de potencia máxima alta. Tecnología de empaque integrada: la investigación sobre la tecnología clave del empaque láser de semiconductores de alta potencia es comenzar desde los aspectos del calor, los materiales de empaque y el estrés, para resolver el diseño del empaque de la gestión térmica y el estrés térmico, y para lograr un avance tecnológico en el desarrollo de láseres semiconductores directos de alta potencia, alto brillo y alta fiabilidad.
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