El láser semiconductor es un tipo de láser desarrollado en la década de 1960 que utiliza materiales semiconductores como materiales de trabajo. Desde finales de la década de 1970, los láseres semiconductores se han desarrollado claramente en dos direcciones. Un tipo son los láseres de tipo de información con el fin de transmitir información, y el otro tipo son los láseres de tipo de potencia con el fin de utilizar directamente la potencia óptica del láser de salida.
El láser semiconductor es un tipo de láser desarrollado en la década de 1960 que utiliza materiales semiconductores como materiales de trabajo. Desde finales de la década de 1970, los láseres semiconductores se han desarrollado claramente en dos direcciones. Un tipo son los láseres de tipo de información con el fin de transmitir información, y el otro tipo son los láseres de tipo de potencia con el fin de utilizar directamente la potencia óptica del láser de salida.
Aunque tanto el espectro como el espectro de frecuencia son espectro electromagnético, debido a la diferencia de frecuencia, los métodos de análisis y los instrumentos de prueba del espectro y el espectro de frecuencia son muy diferentes. Algunos problemas son difíciles de resolver en el dominio óptico, pero es más fácil resolverlos a través de la conversión de frecuencia al dominio eléctrico.
Furukawa Electric y Fujitsu Optical Devices (FOC) acordaron cooperar en el desarrollo de equipos integrados para comunicaciones ópticas de alta capacidad de próxima generación. Las dos compañías declararon que utilizarán sus respectivas ventajas para desarrollar dispositivos de alta capacidad, compactos y de bajo consumo para redes de comunicación de próxima generación para satisfacer la demanda de soluciones en la región asiática.
En la aplicación de láser industrial, las personas generalmente usaban bombeo de 915 nm en el pasado, pero con el rápido desarrollo de los láseres de fibra, la demanda del mercado de mayor potencia se ha vuelto cada vez más prominente y la competencia se vuelve cada vez más feroz. La longitud de onda de 915 nm tiene una eficiencia de absorción más baja, lo que generó obstáculos dobles en términos de costo y técnica, lo que limitó el desarrollo de módulos láser acoplados a fibra de alta potencia y bajo costo.
Los láseres semiconductores se conocen comúnmente como diodos láser. Se denominan láseres semiconductores debido a las características del uso de materiales semiconductores como materiales de trabajo. El láser semiconductor está compuesto por un módulo láser semiconductor acoplado a fibra, un dispositivo de combinación de haz, un cable de transmisión de energía láser, un sistema de suministro de energía, un sistema de control y una estructura mecánica. La salida del láser se realiza bajo la conducción y el control del sistema de suministro de energía y el sistema de control.
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