Un chip de diodo láser es un láser basado en semiconductores que consiste en una estructura P-N y funciona con la corriente. El paquete de diodos láser es un dispositivo completo que se ensambla y empaqueta en una carcasa de paquete sellada para formar un chip láser semiconductor que emite luz coherente, un chip de fotodiodos de monitoreo para el control de retroalimentación de la potencia de salida, un chip del sensor de temperatura para el monitoreo de temperatura o una lente óptica para la colimación láser.
Las características de polarización de la luz son una descripción de la dirección de vibración del vector de campo eléctrico de la luz. Hay cinco estados de polarización en total: luz completamente no polarizada, luz parcialmente polarizada, luz linealmente polarizada, luz polarizada elíptica y luz circularmente polarizada
La luz de banda ancha de ASE generada por la fibra dopada con erbio se amplifica la luz de emisión espontánea generada por la fibra de bombeo láser de láser corta. Como se muestra en el siguiente diagrama, los iones de tierras raras bombeados transiciones entre los niveles de energía superior e inferior para generar luz de emisión espontánea, que se amplifica en el proceso de emisión estimulado. Este proceso se repite continuamente, e incluso se puede lograr una potencia de salida bastante alta en condiciones de bombeo suficientes. (ASE = emisión espontánea amplificada, luz de emisión espontánea amplificada)
Para la fibra óptica de mantenimiento de polarización (PM), suponiendo que la dirección de polarización de la entrada de luz polarizada linealmente está en el medio del eje rápido y el eje lento, se puede descomponer en dos componentes de polarización ortogonal. Como se muestra en la figura a continuación, las dos ondas de luz inicialmente tienen la misma fase, pero debido a que el índice de refracción del eje lento es mayor que el del eje rápido, su diferencia de fase aumentará linealmente con la distancia de propagación.
Dependiendo del material de la región activa, el ancho de la brecha de banda del material semiconductor del láser semiconductor de luz azul varía, por lo que el láser semiconductor puede emitir luz de diferentes colores. El material de la región activa del láser semiconductor de luz azul es Gan o Ingan.
Para las fibras PM de panda y bowtie, debido a las condiciones de acoplamiento no ideales, el estrés externo en la fibra y los defectos en la fibra, la dirección de polarización de parte de la luz cambiará a la dirección ortogonal, reduciendo la relación de extinción de salida.
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