El diodo láser de mariposa DFB de 1273nm para detección de HF ha sido diseñado específicamente para satisfacer los requisitos de la aplicación del sensor. Los dispositivos cuentan con una alta potencia de salida y un amplio rango de temperatura de funcionamiento. Sus paquetes de mariposa de 14 pines son compatibles con los pines de los dispositivos SONET OC-48 estándar.
Los diodos láser de chip on portador (COC) de 808 nm y 12 W son una excelente opción para los clientes que buscan un rendimiento de alta potencia y tecnología de punta en un diseño de submontaje estándar de bajo costo. BoxOptronics se ofrece en todo el rango de longitud de onda de 8XX a 9XX y viene en una variedad de configuraciones que incluyen dispositivos monomodo y multimodo para operación CW y pulsada. Las aplicaciones para los dispositivos COC de BoxOptronics incluyen OEM médico, fuente de bomba, orientación militar, OTDR, telémetro e iluminación. Longitudes de onda y configuraciones personalizadas disponibles bajo petición.
Este LD de diodo láser de fibra de alta calidad de 760 nm y 2 W se ha desarrollado para aplicaciones de bombeo de láser de fibra y en aplicaciones médicas o de procesamiento de materiales. Ofrece hasta 2 W de potencia láser desde una fibra de 105 µm en una apertura numérica de 0,22 con estabilización de longitud de onda opcional desde 760 nm.
Este módulo láser de fibra DFB de 1550 nm y 200 mW CW adopta un chip láser DFB y un módulo de ruta óptica de ganancia de alta potencia para lograr la salida de alta potencia de la fibra monomodo. El circuito de control de temperatura y conducción láser diseñado profesionalmente garantiza el funcionamiento seguro y estable del láser.
La fibra dopada con erbio de banda C está diseñada para amplificadores de fibra monocanal y multicanal de banda C, fuente de luz ASE, EDFA para red de área metropolitana, EDFA para CATV y EDFA para DWDM. La fibra óptica se puede bombear a 980 nm o 1480 nm y tiene baja pérdida y buena consistencia cuando se conecta con fibra óptica de comunicación.
El chip de fotodiodo InGaAs de 300 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
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