El chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
Este módulo láser de fibra DFB CW de alta potencia de longitud de onda única de 1550 nm y 2 W adopta un chip láser DFB y un módulo de ruta óptica de ganancia de alta potencia para lograr la salida de alta potencia de la fibra monomodo. El circuito de control de temperatura y conducción láser diseñado profesionalmente garantiza el funcionamiento seguro y estable del láser.
La fibra dopada con erbio de alta absorción puede reducir la longitud de la fibra utilizada, reduciendo así el efecto no lineal de la fibra, y se utiliza principalmente en amplificadores de fibra de 1,5 µm y láseres de fibra. La fibra se bombea a 980 nm o 1480 nm y tiene baja pérdida por empalme y buena consistencia.
Este diodo láser DFB TO-CAN de 1550 nm y 5 mW es un producto que funciona en un amplio rango de temperatura con un coeficiente de longitud de onda de temperatura bajo. Es muy adecuado para aplicaciones tales como investigación de comunicaciones, interferometría y reflectometría óptica para la medición de distancia en fibra o espacio libre. Cada dispositivo se somete a pruebas y quemado. Este láser viene empaquetado en una lata TO de 5,6 mm. Contiene una lente de enfoque asférica integrada en la tapa, lo que permite que el punto de enfoque y la apertura numérica (NA) coincidan con la fibra SMF-28e+.
Los amplificadores de fibra dopada con erbio de banda C de alta potencia 2W 33dBm EDFA (EYDFA-HP) se basan en la tecnología de amplificador de fibra dopada con erbio de doble revestimiento, utilizando un proceso de empaque óptico único, junto con un diseño confiable de protección láser de alta potencia , para lograr una salida láser de alta potencia en el rango de longitud de onda de 1540~1565nm. Con alta potencia y bajo nivel de ruido, se puede utilizar en comunicaciones de fibra óptica, Lidar, etc.
El chip de fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1 mm ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, el chip de fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1 mm es ideal para aplicaciones de redes ópticas de gran ancho de banda de 1310 nm y 1550 nm. La serie de dispositivos ofrece alta capacidad de respuesta, baja corriente oscura y gran ancho de banda para un diseño de receptor de alto rendimiento y baja sensibilidad. Este dispositivo es ideal para los fabricantes de receptores ópticos, transpondedores, módulos de transmisión óptica y combinación de fotodiodo PIN y amplificador de transimpedancia.
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