La serie de productos del amplificador óptico (SOA) de semiconductores se usa principalmente para la amplificación de la señal óptica y puede aumentar significativamente la potencia óptica de salida. Los productos cuentan con una alta ganancia, bajo consumo de energía y mantenimiento de polarización, entre otras características, y son completamente procesables con tecnología controlable a nivel nacional.
La fibra dopada con iterbio de revestimiento único de 6,5/125 um de área de modo grande de Boxoptronics tiene una alta eficiencia de pendiente y un rendimiento de oscurecimiento de fotones bajo. Esta fibra es muy adecuada para láseres de fibra pulsados y continuos de alta potencia.
La polarización que mantiene la fibra óptica dopada con tulio doble revestido está diseñada para amplificadores de fibra de ancho de línea estrecho de alta potencia de 2 um de alta potencia que son seguros de los ojos. Al optimizar el dopaje de iones de TM, tiene las características de alta eficiencia de pendiente, coeficiente de alta absorción y alta relación de extinción de polarización cuando se bombea a una longitud de onda de 793 nm.
El módulo láser de fibra monomodo DFB de 1653 nm adopta un chip láser semiconductor de mariposa, un diseño profesional de circuito de conducción y control TEC para garantizar el funcionamiento seguro del láser, una potencia de salida estable y un espectro.
Box Optronics desarrolló de forma independiente el módulo de fuente láser de doble emisor adopta el semiconductor DFB Chip láser, salida de fibra de modo único, diseño profesional del circuito de conducción y control TEC para garantizar la operación segura y estable del láser.
El diodo láser de mariposa DFB de 1683 nm y 10 mW para detección de gas etano C2H6 se ha diseñado específicamente para satisfacer los requisitos de la aplicación del sensor. Los dispositivos cuentan con una alta potencia de salida y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. Sus paquetes de mariposa de 14 pines son compatibles con dispositivos SONET OC-48 estándar.
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