Módulo láser de fibra CW DFB de alta potencia y longitud de onda única de 1550nm y 2W Fabricantes

El diodo láser de bomba de 915 nm y 20 W Diodo láser acoplado de fibra de 105 µm se ha desarrollado para aplicaciones de bombeo, médicas o de procesamiento de materiales. Este láser de diodo ha sido diseñado para brindar una potencia de salida muy alta para el mercado de láser de fibra y para los fabricantes de sistemas directos con una configuración de bomba más compacta. Varias potencias de salida están disponibles. Longitudes de onda y configuraciones personalizadas disponibles a pedido.

El láser de diodo acoplado de fibra de alta potencia de 808 nm y 35 W tiene las siguientes características clave: estos láseres tienen alta eficiencia de acoplamiento, alto brillo, carcasa sellada, acoplamiento de fibra estándar para 105um 0.22NA.

Las fibras Raman de fósforo altamente dopadas de Boxoptronics están diseñadas para láseres y amplificadores Raman eficientes que funcionan en el rango espectral de 1,1-1,6 µm. La principal ventaja de la fibra dopada con fósforo es el valor de cambio Raman tres veces mayor en comparación con la fibra dopada con germanio. Esta característica puede simplificar en gran medida el diseño de amplificadores y láseres de fibra Raman.

El láser de diodo acoplado a fibra de 808nm y 60 vatios, 60W de potencia, una longitud de onda de 808nm y un diámetro de núcleo de fibra de 106um. También se basan en tecnología multichip de alta fiabilidad. Están diseñadas para usarse como bombas láser de estado sólido bombeadas por diodos. Las fuentes de un solo emisor se activan en una configuración en serie y se lanzan a una fibra de salida con un diámetro de núcleo pequeño de 106 micras mediante el empleo de microópticas de alta potencia. Todos estos dispositivos acoplados de fibra de emisor único múltiple se someten a un ciclo de proceso de inspección y quemado sólido para garantizar una larga vida útil y durabilidad. Ofrecemos con una garantía de un año y generalmente enviamos desde stock.

El láser de diodo acoplado a fibra de 830 nm y 2 W está diseñado para generar productos de gran volumen con alta eficiencia, estabilidad y calidad de haz superior. Los productos se logran transformando la radiación asimétrica del chip de diodo láser en una fibra de salida con un diámetro de núcleo pequeño mediante el uso de microópticas especiales. Los procedimientos de inspección y quemado en todos los aspectos dan como resultado garantizar cada producto con la confiabilidad, estabilidad y larga vida útil.

El diodo láser de ancho de línea estrecho con paquete de mariposa DFB de 1550nm 40mW 600Khz se basa en un único chip DFB único, adopta un diseño de chip único, tecnología de empaquetado avanzada, tiene un ancho de línea bajo y un ruido de intensidad relativa, y tiene baja sensibilidad a la longitud de onda y corriente de trabajo. El dispositivo adopta un paquete de mariposa estándar de 14 pines, con alta potencia de salida, alta estabilidad, alta confiabilidad.