Láser de fibra de pulso de femtosegundo de 780 nm Fabricantes

1064 nm pertenece a la luz infrarroja cercana, que tiene una fuerte penetración y baja pérdida de luz. Se ha registrado en muchos estudios científicos que los láseres acoplados a la fibra de 1064 nm se han convertido en componentes importantes en los campos de la biomedicina, las comunicaciones ópticas y el procesamiento industrial, impulsar la innovación y la mejora de la eficiencia en todos los ámbitos de la vida.

Giroscopios de fibra óptica: la baja coherencia de las fuentes de luz ASE puede suprimir los efectos no lineales, mejorando la precisión y la estabilidad de los sistemas de navegación inercial. Prueba de dispositivo de multiplexación de división de longitud de onda (WDM): las fuentes de luz de banda ancha cubren múltiples bandas de comunicación, que admiten pruebas simultáneas de pérdida de inserción multicanal, aislamiento y OSNR (relación señal / ruido óptico).

Para la tecnología de síntesis espectral, aumentar el número de subhaces láser sintetizados es una de las formas importantes de aumentar la potencia de síntesis. La expansión del rango espectral de los láseres de fibra ayudará a aumentar la cantidad de subhaces de láser de síntesis espectral y aumentará la potencia de síntesis espectral [44-45]. En la actualidad, el rango de síntesis de espectro comúnmente utilizado es 1050～1072 nm. Ampliar aún más el rango de longitud de onda de los láseres de fibra de ancho de línea estrecho a 1030 nm es de gran importancia para la tecnología de síntesis de espectro. Por lo tanto, muchas instituciones de investigación se han centrado en los láseres de fibra ancha de línea estrecha de longitud de onda corta (longitud de onda inferior a 1040 nm). Este documento estudia principalmente el láser de fibra de 1030 nm y amplía el rango de longitud de onda del subhaz láser sintetizado espectralmente a 1030 nm.

El láser semiconductor es un tipo de láser desarrollado en la década de 1960 que utiliza materiales semiconductores como materiales de trabajo. Desde finales de la década de 1970, los láseres semiconductores se han desarrollado claramente en dos direcciones. Un tipo son los láseres de tipo de información con el fin de transmitir información, y el otro tipo son los láseres de tipo de potencia con el fin de utilizar directamente la potencia óptica del láser de salida.

Box Optronics lanzó un diodo láser DFB de ancho de línea estrecho de 1550 nm, 100 mW y 100 kHz en un encapsulado de mariposa de 14 pines con control de temperatura TEC integrado y monitoreo PD.