Acopladores tipo bicónico fusionado Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • Diodo láser de mariposa TEC incorporado DFB de 1330 nm

    Diodo láser de mariposa TEC incorporado DFB de 1330 nm

    El diodo láser de mariposa TEC integrado DFB de 1330 nm está diseñado para la transmisión analógica de difusión y difusión restringida en aplicaciones CATV y CWDM. Los módulos proporcionan una alta potencia de salida mientras mantienen una alta linealidad. Los módulos están alojados en un paquete de mariposa de 14 pines herméticamente sellado estándar de la industria, que contiene un aislador óptico, un enfriador termoeléctrico y un fotodiodo de monitor de potencia.
  • APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200um

    APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200um

    El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
  • Módulo láser de longitud de onda de barrido continuo de 1550 nm

    Módulo láser de longitud de onda de barrido continuo de 1550 nm

    El módulo láser de longitud de onda de barrido continuo de 1550nm adopta un chip láser semiconductor dedicado para realizar una salida láser de longitud de onda de escaneo de alta velocidad desde una fibra monomodo. El circuito de accionamiento diseñado profesionalmente y el control TEC garantizan el funcionamiento seguro y estable del láser. El empaque de escritorio o modular está disponible.
  • Banda C 1W 2W Fuente de luz de banda ancha ASE de alta potencia ASE

    Banda C 1W 2W Fuente de luz de banda ancha ASE de alta potencia ASE

    La banda C Band 1W 2W de alta potencia ASE Fuente de luz de banda ancha es una fuente de luz incoherente, generada por la emisión espontánea de la fibra dopada con erbio bombeada por un láser semiconductor. La longitud de onda de la fuente de luz cubre la banda C (1528 nm-1568nm), con una planitud espectral de 20dB.
  • Módulo láser de fibra Smf-28e de 1550 nm de ancho de línea

    Módulo láser de fibra Smf-28e de 1550 nm de ancho de línea

    El módulo láser de fibra Linewidth 1550nm Smf-28e se puede utilizar en sensores de fibra óptica, comunicación de fibra óptica, radar láser y otros campos. Podemos aceptar la personalización de la longitud de onda central, el ancho del espectro, la potencia y otros parámetros.
  • Chip láser LD COS de 940 nm y 12 W en submontaje

    Chip láser LD COS de 940 nm y 12 W en submontaje

    El chip láser LD COS de 940 nm y 12 W en submontaje, potencia de salida de 12 W, alta eficiencia, larga vida útil, ampliamente utilizado en bombas industriales, investigación y desarrollo, iluminación láser, medicina y otros campos.

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