Acopladores tipo bicónico fusionado Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos relacionados

Productos

Módulo láser acoplado de fibra de alta potencia de 1120 nm para investigación óptica no lineal
Este láser utiliza un chip láser de semiconductores en forma de mariposa. Los circuitos de control del conductor y la temperatura diseñados profesionalmente aseguran una operación segura, potencia de salida estable y un espectro estable. Es adecuado como un láser de semillas para láseres de alta potencia y también se puede utilizar para las pruebas de producción de dispositivos ópticos. Disponible en benchtop o paquetes modulares.
Divisores de acopladores FBT de fibra óptica 1310nm 1550nm SM o MM
Los divisores de acopladores FBT de fibra óptica 1310nm 1550nm SM o MM de BoxOptronics tienen una respuesta espectral plana en todo el rango especificado. Están disponibles con una relación de acoplamiento de 50:50, 80:20, 90:10, 99:1. Los acopladores de banda ancha (ancho de banda de ±40 nm) que se pueden usar a 1310nm, 1550nm, banda C o banda L se muestran a continuación. Estos acopladores pueden manejar una potencia máxima de 300 mW (CW) con conectores.
Láser mariposa 1368nm 10mW DFB
El láser de mariposa DFB de 1368nm y 10 mW es un diodo láser altamente coherente y rentable. El chip láser DFB está empaquetado en un paquete de mariposa de 14 pines herméticamente sellado estándar de la industria con TEC y PD integrados. Se puede utilizar para la detección de gas H2O.
Fibra láser de diodo de 808 nm y 25 W acoplada para fuente de bomba
La fibra láser de diodo de 808 nm y 25 W acoplada para fuente de bomba se utiliza ampliamente en iluminación, bombeo y procesamiento de materiales. BoxOptronics tiene emisores particulares que combinan patentes y la potencia de salida del láser de diodo acoplado a fibra de 808 nm puede ser de hasta 20 W. También podemos personalizar la longitud de onda y la potencia según sus requisitos.
Chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500 um
El chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
Diodo láser mariposa 1310nm 40mW DFB
El diodo láser de mariposa DFB de 1310 nm y 40 mW es un módulo de diodo láser de frecuencia única diseñado para la medición óptica y la comunicación. El láser está empaquetado en un paquete de mariposa estándar de 14 pines con fotodiodo de monitor y enfriador termoeléctrico (TEC).

Blog relacionado
Reseñas

¿Qué es la fuente de luz ASE?
La gente utilizó este proceso ASE para crear una fuente de luz ASE de banda ancha que es esencial para muchas aplicaciones diferentes de telecomunicaciones, detección de fibra, giroscopio de fibra óptica y pruebas y medidas.
El mercado de láser semiconductor tiene amplias perspectivas y una amplia gama de aplicaciones industriales.
El láser semiconductor es un tipo de láser desarrollado en la década de 1960 que utiliza materiales semiconductores como materiales de trabajo. Desde finales de la década de 1970, los láseres semiconductores se han desarrollado claramente en dos direcciones. Un tipo son los láseres de tipo de información con el fin de transmitir información, y el otro tipo son los láseres de tipo de potencia con el fin de utilizar directamente la potencia óptica del láser de salida.
Estructura láser de semiconductores de luz azul y principio de trabajo
Dependiendo del material de la región activa, el ancho de la brecha de banda del material semiconductor del láser semiconductor de luz azul varía, por lo que el láser semiconductor puede emitir luz de diferentes colores. El material de la región activa del láser semiconductor de luz azul es Gan o Ingan.
Que es GPON
El pasado y el futuro de los láseres semiconductores de alta potencia.
Los amplificadores de fibra Raman mejoran el rendimiento de los sistemas de comunicación óptica de larga distancia
En el campo de las comunicaciones ópticas, la transmisión de larga distancia ha sido cuestionada por problemas como la atenuación y la distorsión de la señal. Los amplificadores de fibra Raman, con sus ventajas únicas, se han convertido en una tecnología clave para mejorar el rendimiento de los sistemas de comunicación óptica de larga distancia.

Acopladores tipo bicónico fusionado Fabricantes

Productos relacionados

Productos

Módulo láser acoplado de fibra de alta potencia de 1120 nm para investigación óptica no lineal

Divisores de acopladores FBT de fibra óptica 1310nm 1550nm SM o MM

Láser mariposa 1368nm 10mW DFB

Fibra láser de diodo de 808 nm y 25 W acoplada para fuente de bomba

Chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500 um

Diodo láser mariposa 1310nm 40mW DFB

¿Qué es la fuente de luz ASE?

El mercado de láser semiconductor tiene amplias perspectivas y una amplia gama de aplicaciones industriales.

Estructura láser de semiconductores de luz azul y principio de trabajo

Que es GPON

El pasado y el futuro de los láseres semiconductores de alta potencia.

Los amplificadores de fibra Raman mejoran el rendimiento de los sistemas de comunicación óptica de larga distancia

mirna 2022-01-16 13:57:55

mario 2023-06-16 22:15:11

Alberto 2021-04-10 01:09:46

frances 2021-11-23 03:10:55

Norma 2023-07-18 01:26:31

Sotavento 2021-11-30 05:21:24

Enviar Consulta