Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm para detección de luz infrarroja cercana. Las características incluyen alta velocidad, alta sensibilidad, bajo nivel de ruido y respuestas espectrales que van desde 1100nm a 1650nm Adecuado para una amplia gama de aplicaciones que incluyen comunicación óptica, análisis y medición.
Los fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm para la detección de luz infrarroja cercana. Las características incluyen alta velocidad, alta sensibilidad, bajo nivel de ruido y respuestas espectrales que van desde 1100nm a 1650nm Adecuado para una amplia gama de aplicaciones que incluyen comunicación óptica, análisis y medición.
Los fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm para la detección de luz infrarroja cercana. Las características incluyen alta velocidad, alta sensibilidad, bajo nivel de ruido y respuestas espectrales que van desde 1100nm a 1650nm Adecuado para una amplia gama de aplicaciones que incluyen comunicación óptica, análisis y medición.
Rango de detección 1100nm-1650nm;
Paquete coaxial;
Baja corriente oscura, Baja capacitancia;
Alta fiabilidad, larga vida útil.
Receptor óptico analógico;
Equipo de prueba.
| Parámetro | Símbolo | Condición | mín. | tip. | máx. | Unidad |
| Rango de onda | λ | 1100 | - | 1650 | Nuevo Méjico | |
| Área activa | φ | - | - | 0.3 | - | milímetro |
| capacidad de respuesta | R | Vr=-5V, λ =1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| Vr=-5V, λ =1550nm | 0.90 | 0.95 | - | |||
| Corriente oscura | IDENTIFICACIÓN | Vr=-5V | - | - | 1 | n / A |
| Tensión de funcionamiento | V | - | - | -5 | - | V |
| tiempo de subida | TR | VR=5V, RL=50Ω | - | - | 1.5 | ns |
| Capacidad | DPC | VR=5V, φe=0, f=1MHz | - | - | 20 | pF |
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R: Tenemos fotodiodo PIN InGaAs de área activa de 0,3 mm, 0,5 mm, 1 mm, 2 mm.
P: ¿Cuál es el requisito para el conector?R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.
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