Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm
  • Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mmFotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm
  • Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mmFotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm
  • Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mmFotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm
  • Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mmFotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm

Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm

Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm para detección de luz infrarroja cercana. Las características incluyen alta velocidad, alta sensibilidad, bajo nivel de ruido y respuestas espectrales que van desde 1100nm a 1650nm Adecuado para una amplia gama de aplicaciones que incluyen comunicación óptica, análisis y medición.

enviarmandar pregunta

producto descripción

1. Resumen de fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm

Los fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm para la detección de luz infrarroja cercana. Las características incluyen alta velocidad, alta sensibilidad, bajo nivel de ruido y respuestas espectrales que van desde 1100nm a 1650nm Adecuado para una amplia gama de aplicaciones que incluyen comunicación óptica, análisis y medición.

2. Introducción de fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm

Los fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm para la detección de luz infrarroja cercana. Las características incluyen alta velocidad, alta sensibilidad, bajo nivel de ruido y respuestas espectrales que van desde 1100nm a 1650nm Adecuado para una amplia gama de aplicaciones que incluyen comunicación óptica, análisis y medición.

3. Características de los fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm

Rango de detección 1100nm-1650nm;

Paquete coaxial;

Baja corriente oscura, Baja capacitancia;

Alta fiabilidad, larga vida útil.

4. Aplicación de fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm

Receptor óptico analógico;

Equipo de prueba.

5. Características electro-ópticas (T=25℃) de fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm

Parámetro Símbolo Condición mín. tip. máx. Unidad
Rango de onda λ   1100 - 1650 Nuevo Méjico
Área activa φ - - 0.3 - milímetro
capacidad de respuesta R Vr=-5V, λ =1310nm 0.85 0.90 - A/W
Vr=-5V, λ =1550nm 0.90 0.95 -
Corriente oscura IDENTIFICACIÓN Vr=-5V - - 1 n / A
Tensión de funcionamiento V - - -5 - V
tiempo de subida TR VR=5V, RL=50Ω - - 1.5 ns
Capacidad DPC VR=5V, φe=0, f=1MHz - - 20 pF

6. Dibujo del paquete y definición de PIN-OUT (Unidad: mm) de fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm

7. Entrega, envío y servicio de fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm

Todos los productos han sido probados antes del envío;

Todos los productos tienen de 1 a 3 años de garantía. (Después del período de garantía de calidad, comenzó a cobrarse la tarifa de servicio de mantenimiento adecuada).

Apreciamos su negocio y ofrecemos una política de devolución instantánea de 7 días. (7 días después de recibir los artículos);

Si los artículos que compra en nuestra tienda no son de calidad perfecta, es decir, no funcionan electrónicamente según las especificaciones del fabricante, simplemente devuélvalos para su reemplazo o reembolso;

Si los artículos son defectuosos, notifíquenos dentro de los 3 días posteriores a la entrega;

Todos los artículos deben devolverse en su estado original para calificar para un reembolso o reemplazo;

El comprador es responsable de todos los gastos de envío incurridos.

8. Preguntas frecuentes

P: ¿Cuál es el área activa que le gustaría?

R: Tenemos fotodiodo PIN InGaAs de área activa de 0,3 mm, 0,5 mm, 1 mm, 2 mm.

P: ¿Cuál es el requisito para el conector?

R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.

Etiquetas calientes: Fotodiodos InGaAs de área activa de 0,3 mm, fabricantes, proveedores, venta al por mayor, fábrica, personalizados, a granel, China, fabricados en China, baratos, precios bajos, calidad

relacionado categoría

enviarmandar pregunta

Por favor, siéntase libre de dar su consulta en el siguiente formulario. nos va a contestar ustedes , en 24 horas .