El chip de fotodiodo InGaAs de 300 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
El chip de fotodiodo InGaAs de 300 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
El chip de fotodiodo InGaAs de 300 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
Rango de detección 900nm-1650nm;
Alta velocidad;
Alta capacidad de respuesta;
Baja capacitancia;
Baja corriente oscura;
Estructura plana iluminada superior.
Supervisión;
Instrumentos de fibra óptica;
Transmisión de datos.
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Tensión inversa | VRmáx | 20 | V |
| Corriente directa | - | 10 | mamá |
| Temperatura de funcionamiento | Para pr | -40 a +85 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55 a +125 | ℃ |
| Parámetro | Símbolo | Condición | mín. | tip. | máx. | Unidad |
| Rango de onda | λ | 900 | - | 1650 | Nuevo Méjico | |
| capacidad de respuesta | R | λ =1310nm | 0.85 | 0.90 | - | A/W |
| λ =1550nm | - | 0.95 | - | |||
| λ =850nm | - | 0.20 | - | |||
| Corriente oscura | IDENTIFICACIÓN | Vr=5V | - | 1.0 | 5.0 | n / A |
| Capacidad | C | VR=5V, f=1MHz | - | 4.2 | 6.0 | pF |
| ancho de banda | bw | 3dB abajo, RL=50Ω | - | 1.8 | - | GHz |
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Diámetro del área activa | D | 300 | em |
| Diámetro de la almohadilla de unión | - | 80 | em |
| Tamaño del troquel | - | 420x420 | em |
| Grosor del troquel | t | 180±20 | em |
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R: tenemos un chip de fotodiodo InGaAs de área activa de 0,3 mm, 0,5 mm, 1 mm, 2 mm.
P: ¿Cuál es el requisito para el conector?R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.
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