Recientemente, en base a los resultados de una investigación de simulación óptica anterior (DOI: 10.1364/OE.389880), el grupo de investigación de Liu Jianping del Instituto de Nanotecnología de Suzhou, Academia de Ciencias de China, propuso utilizar material cuaternario AlInGaN cuya constante de red e índice de refracción pueden ajustarse al mismo tiempo que la capa de confinamiento óptico. La aparición del moho del sustrato, los resultados relacionados se publicaron en la revista Fundamental Research, que está dirigida y patrocinada por la Fundación Nacional de Ciencias Naturales de China. En la investigación, los experimentadores primero optimizaron los parámetros del proceso de crecimiento epitaxial para hacer crecer heteroepitaxialmente capas delgadas de AlInGaN de alta calidad con morfología de flujo escalonado en la plantilla de GaN/Zafiro. Posteriormente, el lapso de tiempo homoepitaxial de la capa gruesa de AlInGaN en el sustrato autoportante de GaN muestra que la superficie tendrá una morfología de cresta desordenada, lo que conducirá a un aumento de la rugosidad de la superficie, lo que afectará el crecimiento epitaxial de otras estructuras láser. Al analizar la relación entre la tensión y la morfología del crecimiento epitaxial, los investigadores propusieron que la tensión de compresión acumulada en la capa gruesa de AlInGaN es la razón principal de dicha morfología y confirmaron la conjetura al hacer crecer capas gruesas de AlInGaN en diferentes estados de tensión. Finalmente, al aplicar la capa gruesa AlInGaN optimizada en la capa de confinamiento óptico del láser verde, se suprimió con éxito la aparición del modo sustrato (Fig. 1).
Figura 1. Láser verde sin modo de fuga, (α) distribución de campo lejano del campo de luz en dirección vertical, (b) diagrama de puntos.
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