El chip de 915 nm y 12 W en diodo láser COS submontado, que emplea unión AuSn y paquete P Down con múltiples ventajas de alta confiabilidad, potencia de salida estable, alta potencia, alta eficiencia, larga vida útil y alta compatibilidad, y se aplica ampliamente en el mercado.
El módulo de diodo láser multimodo no refrigerado de 785 nm y 2 W se usa ampliamente en pruebas de investigación de laboratorio, bombeo láser, medicina, impresión y procesamiento de materiales.
El diodo láser de mariposa de 1270 nm DFB de 10 mW se fabrica en un paquete de mariposa de 14 pines sellado herméticamente. Los diodos láser contienen enfriador termoeléctrico (TEC), termistor, fotodiodo de monitor y aislador óptico para garantizar un rendimiento láser de alta calidad. También tenemos una selección completa del cliente de potencias de salida, tipos de paquetes y fibras de salida de fibras SM, fibras PM y otras fibras especiales, también podemos personalizar la longitud de onda, que cubre desde 1270nm hasta 1650nm.
BoxOptronics Erbium-ytterbium Co-doped Triple-clad Single-mode Fiber se utiliza principalmente en radar láser, alcance láser, amplificación de comunicaciones y otros campos. La fibra óptica utiliza sílice dopada con flúor de bajo índice de refracción como segundo material de revestimiento, que no solo tiene una baja pérdida por empalme y una alta eficiencia de conversión de luz a luz, sino que también tiene una buena resistencia a altas temperaturas. La fibra óptica puede ajustar el coeficiente de absorción y ganar espectro con buena consistencia.
Este diodo láser TO-CAN DFB de 1610 nm y 5 mW es un producto que funciona en un amplio rango de temperatura con un coeficiente de longitud de onda de temperatura bajo. Es muy adecuado para aplicaciones tales como investigación de comunicaciones, interferometría y reflectometría óptica para la medición de distancia en fibra o espacio libre. Cada dispositivo se somete a pruebas y quemado. Este láser viene empaquetado en una lata TO de 5,6 mm. Contiene una lente de enfoque asférica integrada en la tapa, lo que permite que el punto de enfoque y la apertura numérica (NA) coincidan con la fibra SMF-28e+.
El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
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