La fibra dopada con erbio de banda L está dopada y optimizada para amplificadores de fibra monocanal y multicanal de banda L, fuentes de luz ASE, redes de área metropolitana, CATV y EDFA para DWDM. Un alto dopaje puede reducir la longitud de la fibra de erbio, reduciendo así el efecto no lineal de la fibra. La fibra se puede bombear a 980 nm o 1480 nm y tiene baja pérdida y buena consistencia con las conexiones de fibra de comunicación.
El chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
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Este módulo láser de fibra DFB CW de alta potencia de longitud de onda única de 1550 nm y 2 W adopta un chip láser DFB y un módulo de ruta óptica de ganancia de alta potencia para lograr la salida de alta potencia de la fibra monomodo. El circuito de control de temperatura y conducción láser diseñado profesionalmente garantiza el funcionamiento seguro y estable del láser.
La fibra dopada con erbio de alta absorción puede reducir la longitud de la fibra utilizada, reduciendo así el efecto no lineal de la fibra, y se utiliza principalmente en amplificadores de fibra de 1,5 µm y láseres de fibra. La fibra se bombea a 980 nm o 1480 nm y tiene baja pérdida por empalme y buena consistencia.
Este diodo láser DFB TO-CAN de 1550 nm y 5 mW es un producto que funciona en un amplio rango de temperatura con un coeficiente de longitud de onda de temperatura bajo. Es muy adecuado para aplicaciones tales como investigación de comunicaciones, interferometría y reflectometría óptica para la medición de distancia en fibra o espacio libre. Cada dispositivo se somete a pruebas y quemado. Este láser viene empaquetado en una lata TO de 5,6 mm. Contiene una lente de enfoque asférica integrada en la tapa, lo que permite que el punto de enfoque y la apertura numérica (NA) coincidan con la fibra SMF-28e+.
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