SLD de 1310 nm Fabricantes

La fuente de luz de banda ancha SLD de 1310nm adopta la tecnología de diodo súper radiante semiconductor para generar un espectro de banda ancha y al mismo tiempo tiene una potencia de salida más alta. La longitud de onda de trabajo se puede seleccionar entre 840nm, 1310nm, 1550nm y otra longitud de onda, que es adecuada para aplicaciones como la detección de fibra óptica. Podemos proporcionar una interfaz de comunicación y un software de computadora host para facilitar el monitoreo del estado de la fuente de luz.

El módulo de diodo láser de mariposa DFB de 1390nm es un aislador incorporado, TEC, termistor y monitor PD Paquete de mariposa de 14 pines herméticamente sellado, Box optrons puede personalizar láseres DFB de alta potencia de longitud de onda, módulos de diodo láser estabilizado FBG.

La fuente de luz láser FP de 650nm 785nm 850nm 10mW, salida de fibra monomodo, potencia ajustable, tablero de control de transmisión de corriente de alta estabilidad y alta precisión diseñado profesionalmente para garantizar la seguridad y estabilidad del láser, operación de bajo ruido, bajo costo, rendimiento de alto costo, tamaño pequeño Compacto y fácil de integrar, es ampliamente utilizado en investigación científica, comunicación, tratamiento médico, análisis espectral, bioingeniería y otros campos.

El conjunto de láser sintonizable integrado de ancho de línea estrecho de banda C ITLA tiene un rendimiento óptico excelente en términos de alta estabilidad de potencia de salida, alta relación de supresión de modo lateral (SMSR), ancho de línea de láser ultra estrecho, ruido de intensidad relativa bajo (RIN) y alto Precisión de control de longitud de onda. Estas altas especificaciones hacen que el ITLA sea muy adecuado para aplicaciones de sistemas de comunicación óptica avanzada, prueba y medición, redes de detección de fibra óptica, especialmente en sistemas ópticos de esquema de modulación avanzada de alta velocidad de datos de 40 Gbps y 100 Gbps.

Este LD de diodo láser de fibra de alta calidad de 760 nm y 2 W se ha desarrollado para aplicaciones de bombeo de láser de fibra y en aplicaciones médicas o de procesamiento de materiales. Ofrece hasta 2 W de potencia láser desde una fibra de 105 µm en una apertura numérica de 0,22 con estabilización de longitud de onda opcional desde 760 nm.

El diodo láser semiconductor de 940 nm y 20 W se ha desarrollado para aplicaciones de bombeo, médicas o de procesamiento de materiales. Este láser de diodo ha sido diseñado para entregar una potencia de salida muy alta para el mercado de láser de fibra y para los fabricantes de sistemas directos con una configuración de bomba más compacta. Varias potencias de salida están disponibles. Longitudes de onda y configuraciones personalizadas disponibles a pedido.