El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um es un fotodiodo con ganancia interna producida por la aplicación de un voltaje inverso. Tienen una mayor relación señal-ruido (SNR) que los fotodiodos, así como una respuesta de tiempo rápida, baja corriente oscura y alta sensibilidad. El rango de respuesta espectral suele estar entre 900 y 1650 nm.
El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um es un fotodiodo con ganancia interna producida por la aplicación de un voltaje inverso. Tienen una mayor relación señal-ruido (SNR) que los fotodiodos, así como una respuesta de tiempo rápida, baja corriente oscura y alta sensibilidad. El rango de respuesta espectral suele estar entre 900 y 1650 nm.
El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um es un fotodiodo con ganancia interna producida por la aplicación de un voltaje inverso. Tienen una mayor relación señal-ruido (SNR) que los fotodiodos, así como una respuesta de tiempo rápida, baja corriente oscura y alta sensibilidad. El rango de respuesta espectral suele estar entre 900 y 1650 nm.
Rango de detección 900nm-1650nm;
Alta velocidad;
Alta capacidad de respuesta;
Baja capacitancia;
Baja corriente oscura;
Estructura plana iluminada superior.
Supervisión;
Instrumentos de fibra óptica;
Transmisión de datos.
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Corriente directa máxima | - | 10 | mamá |
| Suministro de voltaje máximo | - | VBR | V |
| Temperatura de funcionamiento | Para pr | -40 a +85 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | Tstg | -55 a +125 | ℃ |
| Parámetro | Símbolo | Condición | mín. | tip. | máx. | Unidad |
| Rango de onda | λ | 900 | - | 1650 | Nuevo Méjico | |
| Cortocircuito | VBR | identificación = 10uA | 40 | - | 52 | V |
| Coeficiente de temperatura de VBR | - | - | - | 0.12 | - | V/℃ |
| capacidad de respuesta | R | VR =VBR -3V | 10 | 13 | - | A/W |
| Corriente oscura | IDENTIFICACIÓN | VBR-3V | - | 0.4 | 10.0 | n / A |
| Capacidad | C | VR = 38 V, f = 1 MHz | - | 8 | - | pF |
| ancho de banda | bw | - | - | 2.0 | - | GHz |
| Parámetro | Símbolo | Valor | Unidad |
| Diámetro del área activa | D | 53 | em |
| Diámetro de la almohadilla de unión | - | 65 | em |
| Tamaño del troquel | - | 250x250 | em |
| Grosor del troquel | t | 150±20 | em |
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R: tenemos 50um 200um 500um área activa InGaAs Avalanche Photodiode Chip.
P: ¿Cuál es el requisito para el conector?R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.
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