Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um
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Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um es un fotodiodo con ganancia interna producida por la aplicación de un voltaje inverso. Tienen una mayor relación señal-ruido (SNR) que los fotodiodos, así como una respuesta de tiempo rápida, baja corriente oscura y alta sensibilidad. El rango de respuesta espectral suele estar entre 900 y 1650 nm.

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1. Resumen del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um es un fotodiodo con ganancia interna producida por la aplicación de un voltaje inverso. Tienen una mayor relación señal-ruido (SNR) que los fotodiodos, así como una respuesta de tiempo rápida, baja corriente oscura y alta sensibilidad. El rango de respuesta espectral suele estar entre 900 y 1650 nm.

2. Introducción del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um es un fotodiodo con ganancia interna producida por la aplicación de un voltaje inverso. Tienen una mayor relación señal-ruido (SNR) que los fotodiodos, así como una respuesta de tiempo rápida, baja corriente oscura y alta sensibilidad. El rango de respuesta espectral suele estar entre 900 y 1650 nm.

3. Características del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um

Rango de detección 900nm-1650nm;

Alta velocidad;

Alta capacidad de respuesta;

Baja capacitancia;

Baja corriente oscura;

Estructura plana iluminada superior.

4. Aplicación del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um

Supervisión;

Instrumentos de fibra óptica;

Transmisión de datos.

5. Calificaciones máximas absolutas del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Corriente directa máxima - 10 mamá
Suministro de voltaje máximo - VBR V
Temperatura de funcionamiento Para pr -40 a +85
Temperatura de almacenamiento Tstg -55 a +125

6. Características electro-ópticas (T=25℃) del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um

Parámetro Símbolo Condición mín. tip. máx. Unidad
Rango de onda λ   900 - 1650 Nuevo Méjico
Cortocircuito VBR identificación = 10uA 40 - 52 V
Coeficiente de temperatura de VBR - - - 0.12 - V/℃
capacidad de respuesta R VR =VBR -3V 10 13 - A/W
Corriente oscura IDENTIFICACIÓN VBR-3V - 0.4 10.0 n / A
Capacidad C VR = 38 V, f = 1 MHz - 8 - pF
ancho de banda bw - - 2.0 - GHz

7. Parámetro de dimensión del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Diámetro del área activa D 53 em
Diámetro de la almohadilla de unión - 65 em
Tamaño del troquel - 250x250 em
Grosor del troquel t 150±20 em

8. Entrega, envío y servicio del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um

Todos los productos han sido probados antes del envío;

Todos los productos tienen de 1 a 3 años de garantía. (Después del período de garantía de calidad, comenzó a cobrarse la tarifa de servicio de mantenimiento adecuada).

Apreciamos su negocio y ofrecemos una política de devolución instantánea de 7 días. (7 días después de recibir los artículos);

Si los artículos que compra en nuestra tienda no son de calidad perfecta, es decir, no funcionan electrónicamente según las especificaciones del fabricante, simplemente devuélvalos para su reemplazo o reembolso;

Si los artículos son defectuosos, notifíquenos dentro de los 3 días posteriores a la entrega;

Todos los artículos deben devolverse en su estado original para calificar para un reembolso o reemplazo;

El comprador es responsable de todos los gastos de envío incurridos.

8. Preguntas frecuentes

P: ¿Cuál es el área activa que le gustaría?

R: tenemos 50um 200um 500um área activa InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

P: ¿Cuál es el requisito para el conector?

R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.

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