Fuente láser de longitud de onda única de 1550 nm Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • Fibra dopada con erbio resistente a la radiación que mantiene la radiación

    Fibra dopada con erbio resistente a la radiación que mantiene la radiación

    La fibra dopada con erbio resistente a la radiación de la radiación boxoptronics tiene buenas características resistentes a la radiación, lo que puede reducir efectivamente el impacto de la radiación de iones de alta energía en la fibra dopada con erbio, también tiene alta birrefringencia y excelentes propiedades que mantienen la polarización. La fibra tiene buena consistencia. Se puede bombear a 980 nm o 1480 nm, y puede realizar una conexión de baja pérdida con fibra óptica de comunicación.
  • Diodos superluminiscentes SLD de 1310 nm y 12 mW

    Diodos superluminiscentes SLD de 1310 nm y 12 mW

    Los diodos superluminiscentes SLD de 1310 nm y 12 mW son SLED altamente calificados para una amplia gama de aplicaciones de giroscopios de fibra óptica (FOG). Estos SLED pueden funcionar en rangos de temperatura exigentes, mayores niveles de impactos/vibraciones y han verificado una larga vida útil debido a su uso en entornos espaciales y de defensa.
  • Amplificador en línea de fibra dopada con erbio tipo banco de trabajo

    Amplificador en línea de fibra dopada con erbio tipo banco de trabajo

    El amplificador en línea de fibra dopada con erbio de tipo banco combina las ventajas del amplificador PA y el amplificador BA con alta ganancia, alta potencia de transmisión y ruido relativamente bajo.
  • Diodo láser de mariposa DFB de 1653 nm para detección de CH4

    Diodo láser de mariposa DFB de 1653 nm para detección de CH4

    El diodo láser de mariposa DFB de 1653 nm para detección de CH4 se puede utilizar en perforaciones y levantamientos de gas. En comparación con los métodos tradicionales para la detección de gases, utiliza láser para realizar análisis de espectro que pueden lograr estudios a larga distancia en entornos hostiles. También puede servir como fuente de luz en un módulo de detección de gas combustible.
  • Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um

    Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50um

    El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um es un fotodiodo con ganancia interna producida por la aplicación de un voltaje inverso. Tienen una mayor relación señal-ruido (SNR) que los fotodiodos, así como una respuesta de tiempo rápida, baja corriente oscura y alta sensibilidad. El rango de respuesta espectral suele estar entre 900 y 1650 nm.
  • Chip láser pulsado de 905 nm y 50 W

    Chip láser pulsado de 905 nm y 50 W

    El chip láser pulsado de 905 nm y 50 W, potencia de salida de 50 W, larga vida útil, alta eficiencia, ampliamente utilizado en LiDAR, instrumentos de medición, seguridad, I + D y otros campos.

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