diodo láser de bomba de 980 nm Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • Diodo láser 1290nm 5mW TO-CAN DFB

    Diodo láser 1290nm 5mW TO-CAN DFB

    Este diodo láser DFB TO-CAN de 1290 nm y 5 mW es un producto que funciona en un amplio rango de temperatura con un coeficiente de longitud de onda de temperatura bajo. Es muy adecuado para aplicaciones tales como investigación de comunicaciones, interferometría y reflectometría óptica para la medición de distancia en fibra o espacio libre. Cada dispositivo se somete a pruebas y quemado. Este láser viene empaquetado en una lata TO de 5,6 mm. Contiene una lente de enfoque asférica integrada en la tapa, lo que permite que el punto de enfoque y la apertura numérica (NA) coincidan con la fibra SMF-28e+.
  • Módulo láser de fibra de nanosegundos de 1064 nm para óptica no lineal

    Módulo láser de fibra de nanosegundos de 1064 nm para óptica no lineal

    El módulo láser de fibra de nanosegundos de 1064 nm para óptica no lineal adopta un diseño de optimización óptica y de circuito único. El ancho del pulso del láser de salida, la potencia máxima y la frecuencia de repetición son ajustables. La longitud de onda de trabajo y la potencia de salida son estables. La salida de fibra monomodo es modular y fácil de integrar en el sistema. Es adecuado para su uso en alcance láser, detección de fibra óptica y otros campos.
  • Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200um

    Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200um

    El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.
  • Fibra monomodo de diodo láser trenzado DFB de 1410 nm

    Fibra monomodo de diodo láser trenzado DFB de 1410 nm

    Esta fibra monomodo de diodo láser en espiral DFB de 1410 nm tiene un fotodiodo de monitor InGaAs incorporado y un aislador óptico integrado dentro de su paquete. Potencia de salida de fibra >2mW. Este diodo láser es adecuado para aplicaciones en redes ópticas como sistemas de comunicación móvil y sistemas CATV.
  • Diodo láser coaxial SM DFB TEC de 1330 nm

    Diodo láser coaxial SM DFB TEC de 1330 nm

    El diodo láser coaxial SM DFB TEC de 1330nm se aplica generalmente para estabilizar o modular la fuente de luz. Además, la fuente láser de alta estabilidad se puede utilizar para probar aparatos y equipos OTDR. El diodo láser está compuesto por un chip CWDM-DFB, un aislador incorporado, un fotodiodo de monitor incorporado y un enfriador TEC, y un conector de fibra óptica SC/APC,SC/PC, FC/APC,FC/PC. Los clientes pueden seleccionar la longitud de la fibra óptica y la definición del pin en función de la demanda real. La potencia de salida está disponible desde 1MW, 1270nm~1610nm CWDM longitud de onda disponible.
  • Chip de fotodiodo InGaAs de 300 um

    Chip de fotodiodo InGaAs de 300 um

    El chip de fotodiodo InGaAs de 300 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.

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