El chip de 915nm 12W en diodo láser COS Submount, que emplea unión AuSn y paquete P Down con múltiples ventajas de alta confiabilidad, potencia de salida estable, alta potencia, alta eficiencia, larga vida útil y alta compatibilidad, y se aplica ampliamente en el mercado.
El chip de 915nm 12W en diodo láser COS Submount, que emplea unión AuSn y paquete P Down con múltiples ventajas de alta confiabilidad, potencia de salida estable, alta potencia, alta eficiencia, larga vida útil y alta compatibilidad, y se aplica ampliamente en el mercado.
El chip de 915nm 12W en diodo láser COS Submount, que emplea unión AuSn y paquete P Down con múltiples ventajas de alta confiabilidad, potencia de salida estable, alta potencia, alta eficiencia, larga vida útil y alta compatibilidad, y se aplica ampliamente en el mercado.
Otras longitudes de onda 808nm, 915nm, 975nm opcional;
Alta eficiencia de conversión;
Vida laboral> 20000h;
Corriente oscura baja, capacitancia baja;
Alta fiabilidad, larga vida útil.
Industria;
Fuente de bomba;
Iluminación;
Tratamiento médico.
| Parámetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidad |
| Operación | |||||
| Longitud de onda central | Î »c | 912 | 915 | 918 | Nuevo Méjico |
| Potencia de salida óptica | Correos | - | 12 | - | W |
| Modo de operación | - | CW | - | ||
| Modulación de potencia | - | - | 100 | - | % |
| Datos electroópticos | |||||
| Divergencia de eje rápido (FWHM) | θ⊠¥ | - | 29 | - | grados |
| Divergencia de eje lento (FWHM) | θ⠀ - | - | 9 | - | grados |
| Ancho de banda espectral (FWHM) | Î ”λ | - | 4 | - | Nuevo Méjico |
| Longitud de onda del pulso | λ | 912 | 915 | 918 | Nuevo Méjico |
| Eficiencia de pendiente | η | 0.95 | - | - | WASHINGTON |
| Eficiencia de conversión | - | 54 | 58 | - | % |
| Corriente de umbral | ITH | - | 0.7 | 1 | A |
| Corriente de funcionamiento | IOP | - | 13 | 14.5 | A |
| Tensión de funcionamiento | VOP | - | 1.65 | 1.85 | V |
| Características de temperatura (dÎ »/ dT) | - | - | 0.35 | - | nm / â „ƒ |
| Polarización | - | - | TE | - | - |
| LD Temperatura de funcionamiento | - | - | 25 | - | ℃ |
| Geométrico | |||||
| Ancho del emisor | W | - | 95 | - | µm |
| Paso del emisor | P | 390 | 400 | 410 | µm |
| Longitud de la cavidad | L | 3990 | 4000 | 4010 | µm |
| Grosor | D | 110 | 130 | 150 | µm |
Nota: la figura anterior es un empaque de disipador de calor de 4.5 * 4.5 * 0.5 (mm). También podemos proporcionar empaques de disipador de calor de 5.7 * 4.5 * 0.5 (mm).
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R: Tenemos 808nm 830nm 880nm 915nm 975nm.
P: ¿Qué potencia de salida le gustaría?R: Box Optronics se puede personalizar de acuerdo con sus requisitos.
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