MMF Raman WDM Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • Amplificadores de fibra dopada con erbio de banda C de alta potencia 3W 35dBm EDFA

    Amplificadores de fibra dopada con erbio de banda C de alta potencia 3W 35dBm EDFA

    Los amplificadores de fibra dopada con erbio de banda C de alta potencia 3W 35dBm EDFA (EYDFA-HP) se basan en la tecnología de amplificador de fibra dopada con erbio de doble revestimiento, utilizando un proceso de empaque óptico único, junto con un diseño confiable de protección láser de alta potencia , para lograr una salida láser de alta potencia en el rango de longitud de onda de 1540~1565nm. Con alta potencia y bajo nivel de ruido, se puede utilizar en comunicaciones de fibra óptica, Lidar, etc.
  • Módulo de fuente de luz de banda ancha ASE de banda L para sensor óptico

    Módulo de fuente de luz de banda ancha ASE de banda L para sensor óptico

    Como fabricante profesional de Módulo de fuente de luz de banda ancha ASE de banda L para sensor óptico, puede estar seguro de comprar Módulo de fuente de luz de banda ancha ASE de banda L para sensor óptico en nuestra fábrica y le ofreceremos el mejor servicio postventa y entrega oportuna .
  • Diodo láser acoplado de fibra de mariposa DFB de 1510 nm

    Diodo láser acoplado de fibra de mariposa DFB de 1510 nm

    El diodo láser DFB de alto rendimiento de diodo láser acoplado de fibra de mariposa DFB de 1510nm está acoplado a fibra con fibra óptica monomodo. Las potencias de salida de CW dependen de la longitud de onda y se encuentran entre 2 mW y 20 mW. Provistos en una montura de mariposa estándar de 14 pines, estos diodos láser tienen un fotodiodo de monitor integrado, un enfriador termoeléctrico de efecto Peltier, un termistor y un aislador óptico. La fibra óptica de salida SMF-28 o PM se puede terminar con conectores SC/PC, FC/PC, SC/APC o FC/APC.
  • Módulo láser de longitud de onda de barrido continuo de 1550 nm

    Módulo láser de longitud de onda de barrido continuo de 1550 nm

    El módulo láser de longitud de onda de barrido continuo de 1550nm adopta un chip láser semiconductor dedicado para realizar una salida láser de longitud de onda de escaneo de alta velocidad desde una fibra monomodo. El circuito de accionamiento diseñado profesionalmente y el control TEC garantizan el funcionamiento seguro y estable del láser. El empaque de escritorio o modular está disponible.
  • Diodo láser de mariposa DFB de 1450 nm de alto rendimiento

    Diodo láser de mariposa DFB de 1450 nm de alto rendimiento

    El diodo láser de mariposa DFB de 1450 nm de alto rendimiento incorporado Fotodiodo de monitor incorporado, enfriador termoeléctrico TEC y termistor, modo único o polarización que mantiene la coleta de fibra, longitud de onda/coeficiente de temperatura 0.01 nm/℃.
  • Diodo láser de bomba 1064nm 600mW

    Diodo láser de bomba 1064nm 600mW

    Los módulos de diodo láser de bomba de 1064 nm y 600 mW utilizan una serie de pasos de diseño revolucionarios y las últimas tecnologías de materiales para mejorar significativamente la escalabilidad del proceso de producción. Esta operación de diodo láser proporciona una reducción significativa en el TEC y el consumo general de energía. El módulo cumple con los estrictos requisitos de la industria de las telecomunicaciones, incluido Telcordia GR-468-CORE para módulos de bomba herméticos de 980 nm. , espectro de banda estrecha incluso bajo cambios de temperatura, corriente de excitación y retroalimentación óptica. La selección de longitud de onda está disponible para aplicaciones que requieren el mayor rendimiento en control de espectro con la mayor potencia disponible.

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