WDM raman Fabricantes

Los SLD de diodo superluminiscente acoplado a fibra de 850 nm y 5 mW son una fuente de luz para sistemas de transmisión de fibra, giroscopios de fibra óptica, sensores de fibra óptica, tomografía de coherencia óptica y mediciones ópticas. El diodo está empaquetado en un paquete de mariposa estándar de 14 pines con fotodiodo de monitor y refrigerador termoeléctrico (TEC). El módulo está trenzado con polarización monomodo que mantiene la fibra y conectorizado mediante conector FC/APC.

500um TO CAN InGaAs avalanche photodiodes APDs es el APD de InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, espacio libre óptico comunicaciones, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.

El diodo láser acoplado de fibra de alta potencia de 976 nm y 350 vatios es un diodo láser industrial estándar en muchas aplicaciones de soldadura, soldadura fuerte, revestimiento, soldadura de reparación, endurecimiento y otros tratamientos de superficie. También es un producto comercial para bombeo de láser de fibra.

La fibra codopada con erbio-iterbio de campo modal grande de Boxoptronics tiene un diseño único de núcleo de NA bajo, que puede lograr una salida de alta calidad de haz sin reducir la eficiencia de conversión de la bomba. El NA de alto revestimiento garantiza una alta eficiencia de acoplamiento de la bomba, y el diseño de gran diámetro del núcleo garantiza un área de campo de modo grande y una longitud de fibra corta, lo que reduce en gran medida el umbral de los efectos no lineales. La fibra óptica tiene buena consistencia, suprime mejor el ASE parásito de 1um, tiene una alta eficiencia de conversión de luz a luz y tiene buena estabilidad en condiciones de operación de alta potencia.

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.

Diodo láser de mariposa con aislador integrado DFB de 1370 nm Potencia de salida alta 4~ 100 mW Aislador integrado, TEC, termistor y monitor PD Paquete de mariposa de 14 pines sellado herméticamente Carga del sistema PAL y NTSC disponible.