La serie de diodos láser coaxiales en espiral DFB de 1270 nm de láseres de retroalimentación distribuida (DFB) de pozos multicuánticos (MQW) se ha diseñado específicamente para satisfacer los requisitos de transmisión SONET CWDM. Los dispositivos cuentan con una alta potencia de salida y un amplio rango de temperatura de funcionamiento. Sus paquetes coaxiales de fibra coaxial sellados herméticamente y sin refrigeración son un medio rentable de proporcionar una fuente de luz de alta velocidad para aplicaciones de alcance intermedio y largo.
La serie de diodos láser coaxiales en espiral DFB de 1270 nm de láseres de retroalimentación distribuida (DFB) de pozos multicuánticos (MQW) se ha diseñado específicamente para satisfacer los requisitos de transmisión SONET CWDM. Los dispositivos cuentan con una alta potencia de salida y un amplio rango de temperatura de funcionamiento. Sus paquetes coaxiales de fibra coaxial sellados herméticamente y sin refrigeración son un medio rentable de proporcionar una fuente de luz de alta velocidad para aplicaciones de alcance intermedio y largo.
La serie de diodos láser coaxiales en espiral DFB de 1270 nm de láseres de retroalimentación distribuida (DFB) de pozos multicuánticos (MQW) se ha diseñado específicamente para satisfacer los requisitos de transmisión SONET CWDM. Los dispositivos cuentan con una alta potencia de salida y un amplio rango de temperatura de funcionamiento. Sus paquetes coaxiales de fibra coaxial sellados herméticamente y sin refrigeración son un medio rentable de proporcionar una fuente de luz de alta velocidad para aplicaciones de alcance intermedio y largo.
Longitud de onda 1270nm;
Potencia de salida 1mW~4mW;
Monitor integrado InGaAs/PIN;
Aislador óptico integrado;
Rango de temperatura de funcionamiento: -20 a 80℃.
equipos de prueba;
sistema WDM;
Vía de retorno de CATV;
Otro sistema de transmisión analógica.
| Parámetro | Símbolo | Condición | mín. | tip. | máx. | Unidad |
| Longitud de onda central | λC | PO=FP | 1260 | 1270 | 1280 | Nuevo Méjico |
| Potencia de salida óptica | FP | SI=ITH+20mA | 2 | - | - | mW |
| Umbral de corriente | ITH | 4 | 10 | mamá | ||
| Tensión de funcionamiento | FV | - | - | 1.2 | 1.5 | pF |
| Tiempo de subida/Tiempo de caída | TR/FT | SI=ITH,PO=PF(20-80)% | - | - | 0.4 | ns |
| Supervisar la corriente | YO SOY | PO=FP | 0.1 | - | 1 | mamá |
| Capacidad | C | - | - | 10 | 15 | FP |
| Ancho espectral (-20dB) | Δλ | SI=ITH+20mA | 1.6 | 2.5 | Nuevo Méjico | |
| Error de seguimiento | TE | - | -1.0 | - | 1.0 | dB |
| Aislamiento óptico | YO ASI | - | 30 | - | - | dB |
| Distorsión de intermodulación de orden de 2 segundos | IMD2 | - | - | - | -50 | dBc |
| Distorsión de intermodulación de tercer orden | IMD3 | - | - | - | -60 | dBc |
| Ruido de intensidad relativa | Rin | - | - | - | -145 | dB/Hz |
| Ración de supresión de modo lateral | SMSR | PO = 2mW | 40 | - | - | dB |
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R: Tenemos diodo láser de 793nm 808nm 915nm 975nm.
P: ¿Cuál es el requisito para la potencia de salida?R: La caja optrónica se puede personalizar según sus requisitos.
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