Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200um
  • Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200umChip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200um

Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200um

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.

enviarmandar pregunta

producto descripción

1. Resumen del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.

2. Introducción del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.

3. Características del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um

Rango de detección 900nm-1650nm;

Alta velocidad;

Alta capacidad de respuesta;

Baja capacitancia;

Baja corriente oscura;

Estructura plana iluminada superior.

4. Aplicación del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um

Supervisión;

Instrumentos de fibra óptica;

Transmisión de datos.

5. Calificaciones máximas absolutas del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Corriente directa máxima - 10 mamá
Suministro de voltaje máximo - VBR V
Temperatura de funcionamiento Para pr -40 a +85
Temperatura de almacenamiento Tstg -55 a +125

6. Características electro-ópticas (T=25℃) del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200um

Parámetro Símbolo Condición mín. tip. máx. Unidad
Rango de onda λ   900 - 1650 Nuevo Méjico
Cortocircuito VBR identificación = 10uA 40 - 60 V
Coeficiente de temperatura de VBR - - - 0.12 - V/℃
capacidad de respuesta R VR =VBR -4V 9 10 - A/W
Corriente oscura IDENTIFICACIÓN VBR-4V - 6.0 30 n / A
Capacidad C VR = 38 V, f = 1 MHz - 1.6 - pF
ancho de banda bw - - 2.0 - GHz

7. Parámetro de dimensión del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um

Parámetro Símbolo Valor Unidad
Diámetro del área activa D 200 em
Diámetro de la almohadilla de unión - 60 em
Tamaño del troquel - 350x350 em
Grosor del troquel t 180±20 em

8. Entrega, envío y servicio del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um

Todos los productos han sido probados antes del envío;

Todos los productos tienen de 1 a 3 años de garantía. (Después del período de garantía de calidad, comenzó a cobrarse la tarifa de servicio de mantenimiento adecuada).

Apreciamos su negocio y ofrecemos una política de devolución instantánea de 7 días. (7 días después de recibir los artículos);

Si los artículos que compra en nuestra tienda no son de calidad perfecta, es decir, no funcionan electrónicamente según las especificaciones del fabricante, simplemente devuélvalos para su reemplazo o reembolso;

Si los artículos son defectuosos, notifíquenos dentro de los 3 días posteriores a la entrega;

Todos los artículos deben devolverse en su estado original para calificar para un reembolso o reemplazo;

El comprador es responsable de todos los gastos de envío incurridos.

8. Preguntas frecuentes

P: ¿Cuál es el área activa que le gustaría?

R: tenemos 50um 200um 500um área activa InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

P: ¿Cuál es el requisito para el conector?

R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.

Etiquetas calientes: Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200um, fabricantes, proveedores, venta al por mayor, fábrica, personalizado, a granel, China, hecho en China, barato, precio bajo, calidad

relacionado categoría

enviarmandar pregunta

Por favor, siéntase libre de dar su consulta en el siguiente formulario. nos va a contestar ustedes , en 24 horas .