Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500um
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Chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500um

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500 um está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.

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Descripción del Producto

1. Resemen del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500em

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500 em está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.

2. Introducción del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500em

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500 em está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.

3. Características del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500em

Rango de detección 900Nuevo Méjico-1650Nuevo Méjico;

Alta velocidad;

Alta capacidad de respuesta;

Baja capacitancia;

Baja corriente oscura;

Estructura plana ileminada superior.

4. Aplicación del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500 em

Supervisión;

Instrementos de fibra óptica;

Transmisión de datos.

5. Calificaciones máximas absolutas de chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500em

ParámetroSímboloValorUnidad
Corriente directa máxima-10mamá
Seministro de voltaje máximo-VBRV
Temperatura de funcionamientoPara pr-40 a +85
Temperatura de almacenamientoTstg-55 a +125

6. Características electro-ópticas (T=25℃) del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500em

ParámetroSímboloCondiciónmín.tip.máx.Unidad
Rango de ondaλ 900-1650Nuevo Méjico
CortocircuitoVBRidentificación = 10uA40-52V
Coeficiente de temperatura de VBR---0.12-V/℃
capacidad de respuestaRVR =VBR-3V1013-A/W
Corriente oscuraIDENTIFICACIÓNVBR-3V-0.410.0n / A
CapacidadCVR = 38 V, f = 1 MHz-8-pF
ancho de bandabw--2.0-GHz

7. Parámetro de dimensión del chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500em

ParámetroSímboloValorUnidad
Diámetro del área activaD53em
Diámetro de la almohadilla de unión-65em
Tamaño del troquel-250x250em
Grosor del troquelt150±20em

8. Entrega, envío y servicio de chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500em

Todos los productos han sido probados antes del envío;

Todos los productos tienen de 1 a 3 años de garantía. (Después del período de garantía de calidad, comenzó a cobrarse la tarifa de servicio de mantenimiento adecuada).

Apreciamos su negocio y ofrecemos una política de devolución instantánea de 7 días. (7 días después de recibir los artículos);

Si los artículos que compra en nuestra tienda no son de calidad perfecta, es decir, no funcionan electrónicamente según las especificaciones del fabricante, simplemente devuélvalos para su reemplazo o reembolso;

Si los artículos son defectuosos, notifíquenos dentro de los 3 días posteriores a la entrega;

Todos los artículos deben devolverse en su estado original para calificar para un reembolso o reemplazo;

El comprador es responsable de todos los gastos de envío incurridos.

8. Preguntas frecuentes

P: ¿Cuál es el área activa que le gustaría?

R: tenemos 50em 200em 500em área activa InGaAs Avalanche Photodiode Chip.

P: ¿Cuál es el requisito para el conector?

R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.

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