500um TO CAN InGaAs avalanche photodiodes APDs es el APD de InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, espacio libre óptico comunicaciones, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 500 um TO CAN es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, espacio libre óptico comunicaciones, OTDR y Tomografía de Coherencia Óptica.
El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 500 um TO CAN es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, espacio libre óptico comunicaciones, OTDR y Tomografía de Coherencia Óptica.
El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
Rango de detección 1100nm-1650nm;
Amplio rango dinámico;
Alta responsabilidad;
Baja corriente oscura;
Paquete estándar TO-46.
Sensor óptico;
comunicaciones ópticas en el espacio libre.
| Parámetro | Símbolo | Condición | mín. | máx. | Unidad |
| PD Voltaje inverso | realidad virtual | CW | - | VBR | V |
| Corriente directa | SI | CW | - | 10 | mamá |
| Corriente inversa | infrarrojos | CW | - | 10 | mamá |
| Temperatura de funcionamiento | ARRIBA | Temperatura de la caja | -40 | +85 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | Temperatura ambiente | -40 | +85 | ℃ |
| Temperatura/Tiempo de soldadura de plomo | ts | - | - | 260/10 | â/S |
| Parámetro | Símbolo | Condición | mín. | tip. | máx. | Unidad |
| Rango de onda | λ | 1100 | - | 1650 | Nuevo Méjico | |
| Área activa | φ | - | - | 500 | - | em |
| Responsabilidad | Re | M=1,λ=1550nm | 0.80 | - | - | A/W |
| Factor de multiplicación | M | VR=VBR-4, λ=1550nm,Ïe=1uW | 10 | - | - | - |
| Corriente oscura | IDENTIFICACIÓN | VR=VBR-4, Ïe=0 | - | 60 | 200 | n / A |
| Tensión de ruptura inversa | VBR | ID=10μA, Ïe=0 | 40 | - | 55 | V |
| Banda ancha | B/N | -Punto 3dB, M=10, RL=50Ω | - | 2.5 | - | GHz |
| Capacidad | C | M=10, Ïe=0, f=1MHz | - | 8 | - | pF |
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R: tenemos fotodiodos de avalancha de área activa de 0,3 mm, 0,5 mm y 1 mm.
P: ¿Cuál es el requisito para el conector?R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.
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