500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD
  • 500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD
  • 500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD
  • 500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD
  • 500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD

500um TO CAN InGaAs avalancha fotodiodos APD

500um TO CAN InGaAs avalanche photodiodes APDs es el APD de InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, espacio libre óptico comunicaciones, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

1. Resumen de APD de fotodiodos de avalancha de 500um TO CAN InGaAs

El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 500 um TO CAN es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, espacio libre óptico comunicaciones, OTDR y Tomografía de Coherencia Óptica.
El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.

2. Introducción de APD de fotodiodos de avalancha de 500um TO CAN InGaAs

El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 500 um TO CAN es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, espacio libre óptico comunicaciones, OTDR y Tomografía de Coherencia Óptica.
El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.

3. Características de los APD de fotodiodos de avalancha de 500um TO CAN InGaAs

Rango de detección 1100nm-1650nm;

Amplio rango dinámico;

Alta responsabilidad;

Baja corriente oscura;

Paquete estándar TO-46.

4. Aplicación de APD de fotodiodos de avalancha de 500um TO CAN InGaAs

Sensor óptico;

comunicaciones ópticas en el espacio libre.

5. Calificaciones máximas absolutas de 500um A CAN InGaAs fotodiodos APD de avalancha

Parámetro Símbolo Condición mín. máx. Unidad
PD Voltaje inverso realidad virtual CW - VBR V
Corriente directa SI CW - 10 mamá
Corriente inversa infrarrojos CW - 10 mamá
Temperatura de funcionamiento ARRIBA Temperatura de la caja -40 +85
Temperatura de almacenamiento TSTG Temperatura ambiente -40 +85
Temperatura/Tiempo de soldadura de plomo ts - - 260/10 â/S

5. Características electroópticas (T = 25â) de 500um TO CAN InGaAs fotodiodos APD de avalancha

Parámetro Símbolo Condición mín. tip. máx. Unidad
Rango de onda λ   1100 - 1650 Nuevo Méjico
Área activa φ - - 500 - em
Responsabilidad Re M=1,λ=1550nm 0.80 - - A/W
Factor de multiplicación M VR=VBR-4, λ=1550nm,Ïe=1uW 10 - - -
Corriente oscura IDENTIFICACIÓN VR=VBR-4, Ïe=0 - 60 200 n / A
Tensión de ruptura inversa VBR ID=10μA, Ïe=0 40 - 55 V
Banda ancha B/N -Punto 3dB, M=10, RL=50Ω - 2.5 - GHz
Capacidad C M=10, Ïe=0, f=1MHz - 8 - pF

6. Dibujo del paquete y definición de PIN-OUT (Unidad: mm) de 500um TO CAN InGaAs fotodiodos APD de avalancha

7. Entrega, envío y servicio de APD de fotodiodos de avalancha CAN InGaAs de 500um

Todos los productos han sido probados antes del envío;

Todos los productos tienen de 1 a 3 años de garantía. (Después del período de garantía de calidad, comenzó a cobrarse la tarifa de servicio de mantenimiento adecuada).

Apreciamos su negocio y ofrecemos una política de devolución instantánea de 7 días. (7 días después de recibir los artículos);

Si los artículos que compra en nuestra tienda no son de calidad perfecta, es decir, no funcionan electrónicamente según las especificaciones del fabricante, simplemente devuélvalos para su reemplazo o reembolso;

Si los artículos son defectuosos, notifíquenos dentro de los 3 días posteriores a la entrega;

Todos los artículos deben devolverse en su estado original para calificar para un reembolso o reemplazo;

El comprador es responsable de todos los gastos de envío incurridos.

8. Preguntas frecuentes

P: ¿Cuál es el área activa que le gustaría?

R: tenemos fotodiodos de avalancha de área activa de 0,3 mm, 0,5 mm y 1 mm.

P: ¿Cuál es el requisito para el conector?

R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.

Etiquetas calientes: 500um TO CAN InGaAs fotodiodos de avalancha APD, fabricantes, proveedores, venta al por mayor, fábrica, personalizado, a granel, China, hecho en China, barato, precio bajo, calidad

Categoría relacionada

Enviar Consulta

Por favor, siéntase libre de dar su consulta en el siguiente formulario. Le responderemos en 24 horas.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept