El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 50 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 900 a 1700 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 50 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 900 a 1700 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y Tomografía de Coherencia Óptica.
El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 50 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 900 a 1700 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y Tomografía de Coherencia Óptica.
El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
Rango de detección 900nm-1700nm;
Amplio rango dinámico;
Alta responsabilidad;
Baja corriente oscura;
Paquete estándar TO-46.
Sensor óptico;
comunicaciones ópticas en el espacio libre.
| Parámetro | Símbolo | Condición | mín. | máx. | Unidad |
| PD Voltaje inverso | realidad virtual | CW | - | 60 | V |
| Corriente directa | SI | CW | - | 3 | mamá |
| Temperatura de funcionamiento | CIMA | Temperatura de la caja | -40 | +85 | ℃ |
| Temperatura de almacenamiento | TSTG | Temperatura ambiente | -40 | +85 | ℃ |
| Temperatura/Tiempo de soldadura de plomo | ts | - | - | 260/10 | ℃/S |
| Parámetro | Símbolo | Condición | mín. | tip. | máx. | Unidad |
| Rango de onda | λ | 900 | - | 1700 | Nuevo Méjico | |
| Área activa | φ | - | - | 50 | - | em |
| Responsabilidad | Re | M=1,λ=1310nm | 0.85 | - | - | A/W |
| Factor de multiplicación | M | VR=VBR-3, λ=1310nm,φe=1uW | 10 | - | - | - |
| Corriente oscura | IDENTIFICACIÓN | VR=VBR-3, φe=0 | - | - | 10 | n / A |
| Tensión de ruptura inversa | VBR | ID=10μA, φe=0 | 40 | 43 | 45 | V |
| -3dBm ancho de banda | B/N | M=10, RL= 50Ω | 2.0 | - | - | GHz |
| Capacidad | C | M=10, φe=0 | - | - | 0.5 | pF |
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R: tenemos fotodiodos de avalancha de área activa de 0,3 mm, 0,5 mm y 1 mm.
P: ¿Cuál es el requisito para el conector?R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.
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