Chip desnudo de láser de diodo CW de 808nm 10W
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Chip desnudo de láser de diodo CW de 808nm 10W

El chip desnudo de láser de diodo CW de 808nm 10W, potencia de salida de 10W, larga vida útil, alta eficiencia, ampliamente utilizado en bombas industriales, iluminación láser, I + D y otros campos.

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1. Resumen del chip desnudo de láser de diodo CW de 808 nm y 10 W

El chip desnudo de láser de diodo CW de 808nm 10W, potencia de salida de 10W, larga vida útil, alta eficiencia, ampliamente utilizado en bombas industriales, iluminación láser, I + D y otros campos.

2. Introducción del chip desnudo de láser de diodo CW de 808 nm y 10 W

El chip desnudo de láser de diodo CW de 808nm 10W, potencia de salida de 10W, larga vida útil, alta eficiencia, ampliamente utilizado en bombas industriales, iluminación láser, I + D y otros campos.

3. Características del chip desnudo de láser de diodo CW de 808 nm y 10 W

Longitud de onda 808 nm;

Potencia de salida 10W;

Vida laboral> 20000h;

Corriente oscura baja, capacitancia baja;

Alta confiabilidad, larga vida útil;

4. Aplicación de chip desnudo de láser de diodo CW de 808 nm y 10 W

Industria;

Bomba;

Iluminación;

Tratamiento médico.

5. Características del chip desnudo de láser de diodo CW de 808 nm y 10 W

Parámetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidad
Operación
Longitud de onda central Î »c 803 806 809 Nuevo Méjico
Potencia de salida óptica Correos - 10 - W
Modo de operación - CW -
Modulación de potencia - - 100 - %
Datos electroópticos
Divergencia de eje rápido (FWHM) θ⊠¥ - 34 - grados
Divergencia de eje lento (FWHM) θ⠀ - - 10 - grados
Ancho de banda espectral (FWHM) Î ”λ - 4 - Nuevo Méjico
Longitud de onda del pulso λ 800 803 806 Nuevo Méjico
Eficiencia de pendiente η 1.1 1.2 - WASHINGTON
Eficiencia de conversión - 50 55 - %
Corriente de umbral ITH - 1.5 1.7 A
Corriente de funcionamiento IOP - 10.1 11.0 A
Tensión de funcionamiento VOP - 1.80 2.0 V
Características de temperatura (dÎ »/ dT) - - 0.28 - nm / â „ƒ
Polarización - - TE - -
LD Temperatura de funcionamiento - - 25 -
Geométrico
Ancho del emisor W - 200 - µm
Paso del emisor P 490 500 510 µm
Longitud de la cavidad L 3990 4000 4010 µm
Grosor D 110 130 150 µm

6. 6. Curva LIV del chip desnudo de láser de diodo CW de 808 nm y 10 W

7. Entrega, envío y servicio de chip desnudo de láser de diodo CW de 808 nm y 10 W

Todos los productos han sido probados antes del envío;

Todos los productos tienen 1-3 años de garantía (después de que el período de garantía de calidad comenzara a cobrar la tarifa de servicio de mantenimiento adecuada).

Apreciamos su negocio y ofrecemos una política de devolución instantánea de 7 días. (7 días después de recibir los artículos);

Si los artículos que compra en nuestra tienda no son de calidad perfecta, es decir, no funcionan electrónicamente según las especificaciones del fabricante, simplemente devuélvanoslos para su reemplazo o reembolso;

Si los artículos están defectuosos, notifíquenos dentro de los 3 días posteriores a la entrega;

Todos los artículos deben devolverse en su estado original para calificar para un reembolso o reemplazo;

El comprador es responsable de todos los gastos de envío incurridos.

8. Preguntas frecuentes

P: ¿Qué longitud de onda le gustaría?

R: Tenemos 808nm 830nm 880nm 915nm 975nm.

P: ¿Qué potencia de salida le gustaría?

R: Box Optronics se puede personalizar de acuerdo con sus requisitos.

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