Diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W
  • Diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 WDiodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W
  • Diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 WDiodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W
  • Diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 WDiodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W
  • Diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 WDiodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W

Diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W

Los diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W son una excelente opción para los clientes que buscan un rendimiento de alta potencia de última generación en un diseño de submontaje estándar de bajo costo. BoxOptronics se proporciona en el rango de longitud de onda de 8XX a 9XX y viene en una variedad de configuraciones que incluyen dispositivos monomodo y multimodo para operación tanto en CW como por pulsos. Las aplicaciones de los dispositivos COC de BoxOptronics incluyen dispositivos médicos OEM, fuentes de bombeo, objetivos militares, OTDR, detección de alcance e iluminación. Configuraciones y longitudes de onda personalizadas disponibles a pedido.

Enviar Consulta

Descripción del Producto

1. Resumen de diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W

Los diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W son una excelente opción para los clientes que buscan un rendimiento de alta potencia de última generación en un diseño de submontaje estándar de bajo costo. BoxOptronics se proporciona en el rango de longitud de onda de 8XX a 9XX y viene en una variedad de configuraciones que incluyen dispositivos monomodo y multimodo para operación tanto en CW como por pulsos. Las aplicaciones de los dispositivos COC de BoxOptronics incluyen dispositivos médicos OEM, fuentes de bombeo, objetivos militares, OTDR, detección de alcance e iluminación. Configuraciones y longitudes de onda personalizadas disponibles a pedido.

2. Introducción de diodos láser de chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W

Los diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W son una excelente opción para los clientes que buscan un rendimiento de alta potencia de última generación en un diseño de submontaje estándar de bajo costo. BoxOptronics se proporciona en el rango de longitud de onda de 8XX a 9XX y viene en una variedad de configuraciones que incluyen dispositivos monomodo y multimodo para operación tanto en CW como por pulsos. Las aplicaciones de los dispositivos COC de BoxOptronics incluyen dispositivos médicos OEM, fuentes de bombeo, objetivos militares, OTDR, detección de alcance e iluminación. Configuraciones y longitudes de onda personalizadas disponibles a pedido.

3. Características de los diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W

Alta eficiencia de conversión;

Vida laboral> 20000h;

Corriente oscura baja, capacitancia baja;

Alta confiabilidad, larga vida útil;

Productos personalizados para clientes.

4. Aplicación de diodos láser de chip en portadora (COC) de 808 nm y 12 W

Industria;

Bomba;

Iluminación;

Tratamiento médico.

5. Características electroópticas (T = 25â „ƒ) de diodos láser de chip en portadora (COC) de 808 nm y 12 W

Parámetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidad
Operación
Longitud de onda central Î »c 803 806 809 Nuevo Méjico
Potencia de salida óptica Correos - 12 - W
Modo de operación - CW -
Modulación de potencia - - 100 - %
Datos electroópticos
Divergencia de eje rápido (FWHM) θ⊠¥ - 34 - grados
Divergencia de eje lento (FWHM) θ⠀ - - 10 - grados
Ancho de banda espectral (FWHM) Î ”λ - 4 - Nuevo Méjico
Longitud de onda del pulso λ 800 803 806 Nuevo Méjico
Eficiencia de pendiente η 1.1 1.2 - WASHINGTON
Eficiencia de conversión - 50 55 - %
Corriente de umbral ITH - 1.8 2 A
Corriente de funcionamiento IOP - 12 13 A
Tensión de funcionamiento VOP - 1.8 2.0 V
Características de temperatura (dÎ »/ dT) - - 0.28 - nm / â „ƒ
Polarización - - TE - -
LD Temperatura de funcionamiento - 15 25 35
Geométrico
Ancho del emisor W - 390 - µm
Paso del emisor P - 680 - µm
Longitud de la cavidad L 1990 2000 2010 µm
Grosor D 110 130 150 µm

6. Dibujo del paquete y definición de PIN-OUT (Unidad: mm) de diodos láser de chip on portador (COC) de 808 nm y 12 W

Nota: la figura anterior es un empaque de disipador de calor de 4.5 * 4.5 * 0.5 (mm). También podemos proporcionar empaques de disipador de calor de 5.7 * 4.5 * 0.5 (mm).

7. Entrega, envío y servicio de diodos láser Chip on Carrier (COC) de 808 nm y 12 W

Todos los productos han sido probados antes del envío;

Todos los productos tienen 1-3 años de garantía (después de que el período de garantía de calidad comenzara a cobrar la tarifa de servicio de mantenimiento adecuada).

Apreciamos su negocio y ofrecemos una política de devolución instantánea de 7 días. (7 días después de recibir los artículos);

Si los artículos que compra en nuestra tienda no son de calidad perfecta, es decir, no funcionan electrónicamente según las especificaciones del fabricante, simplemente devuélvanoslos para su reemplazo o reembolso;

Si los artículos están defectuosos, notifíquenos dentro de los 3 días posteriores a la entrega;

Todos los artículos deben devolverse en su estado original para calificar para un reembolso o reemplazo;

El comprador es responsable de todos los gastos de envío incurridos.

8. Preguntas frecuentes

P: ¿Qué longitud de onda le gustaría?

R: Tenemos 808nm 830nm 880nm 915nm 975nm.

P: ¿Qué potencia de salida le gustaría?

R: Box Optronics se puede personalizar de acuerdo con sus requisitos.

Etiquetas calientes: 808nm 12W Chip on Carrier (COC) Diodos láser, fabricantes, proveedores, venta al por mayor, fábrica, personalizado, a granel, China, hecho en China, barato, precio bajo, calidad

Categoría relacionada

Enviar Consulta

Por favor, siéntase libre de dar su consulta en el siguiente formulario. Le responderemos en 24 horas.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept