Diodo láser acoplado a fibra de 1030 nm Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • Módulo láser de bomba multimodo 975nm 976nm 980nm 50W

    Módulo láser de bomba multimodo 975nm 976nm 980nm 50W

    El módulo láser de bomba multimodo 975nm 976nm 980nm 50W es un diodo láser de un solo emisor Diodo láser de alta eficiencia de acoplamiento.
  • Diodo láser de mariposa DFB de 1570 nm

    Diodo láser de mariposa DFB de 1570 nm

    Diodo láser de mariposa DFB de 1570nm Estos diodos láser, que se proporcionan en un soporte de mariposa estándar de 14 pines, tienen un fotodiodo de monitor incorporado, un enfriador termoeléctrico de efecto Peltier, un termistor y un aislador óptico. La fibra óptica de salida de fibra SMF28 o PM se puede terminar con conectores SC/PC, FC/PC, SC/APC o FC/APC.
  • Láser de diodo acoplado de fibra de alta potencia de 915 nm y 320 W

    Láser de diodo acoplado de fibra de alta potencia de 915 nm y 320 W

    El láser de diodo acoplado de fibra de alta potencia de 915 nm y 320 W se ha desarrollado para aplicaciones de bombeo, médicas o de procesamiento de materiales. Este láser de diodo se ha diseñado para proporcionar una potencia de salida muy alta para el mercado del láser de fibra y para los fabricantes de sistemas directos con una configuración de bomba más compacta. Hay varias potencias de salida disponibles.
  • Amplificador de fibra dopada con erbio EDFA

    Amplificador de fibra dopada con erbio EDFA

    El amplificador de fibra dopada con erbio EDFA se puede utilizar para mejorar la potencia de la señal óptica en el rango de -6 dBm a + 3 dBm, y la potencia de saturación puede ser de hasta 26 dBm, que se puede utilizar después del transmisor óptico para mejorar la potencia de transmisión.
  • APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200um

    APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200um

    El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
  • Módulo de fuente láser de doble emisor

    Módulo de fuente láser de doble emisor

    Box Optronics desarrolló de forma independiente el módulo de fuente láser de doble emisor adopta el semiconductor DFB Chip láser, salida de fibra de modo único, diseño profesional del circuito de conducción y control TEC para garantizar la operación segura y estable del láser.

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