Fotodiodo InGaAs de 1310 nm/1550 nm Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • 1X2 1310/1550nm CWDM longitud de onda WDM

    1X2 1310/1550nm CWDM longitud de onda WDM

    El multiplexor de división de longitud de onda WDM de longitud de onda CWDM 1X2 1310/1550nm está diseñado para combinar la luz de dos entradas en una sola fibra. Este WDM está diseñado para longitudes de onda de 1310 nm y 1550 nm. Como todos los dispositivos de fibra fusionada, es bidireccional: puede usarse para dividir dos longitudes de onda de una sola entrada en dos salidas. También podemos proporcionar otras longitudes de onda CWDM (1270nm a 1610nm) WDM.
  • Diodo láser de mariposa de ancho de línea estrecho DFB de 1030nm 200mW 100KHz

    Diodo láser de mariposa de ancho de línea estrecho DFB de 1030nm 200mW 100KHz

    El diodo láser mariposa de ancho de línea estrecho DFB de 1030 nm, 200 mW, 100 KHz adopta una estructura de diodo de 14 PIN y puede funcionar de manera estable en modo de onda continua (CW). Es un dispositivo láser de alto rendimiento, con una potencia de salida alta de 200 mW y un ancho de línea estrecho por debajo de 100 kHz. Es adecuado para su uso como fuente semilla para láseres, espectroscopia y detección óptica.
  • Paquete mini SLD de diodos superluminiscentes de 1310 nm y 1 mW

    Paquete mini SLD de diodos superluminiscentes de 1310 nm y 1 mW

    BoxOptronics proporciona un paquete mini SLD de diodos superluminiscentes de 1310 nm y 1 mW. Este SLD está integrado en un paquete pequeño de 6 pines con un enfriador termoeléctrico integrado (TEC) y un termistor para garantizar la estabilidad de la salida. La salida se acopla a una fibra SM o PM. Los SLD se aplican en situaciones en las que se requiere un espectro óptico suave y de banda ancha (es decir, baja coherencia temporal), combinado con una alta coherencia espacial y una intensidad relativamente alta.
  • Chip de fotodiodo InGaAs de 300 um

    Chip de fotodiodo InGaAs de 300 um

    El chip de fotodiodo InGaAs de 300 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
  • 915nm 130W Diodo láser 106um Módulo acoplado de fibra

    915nm 130W Diodo láser 106um Módulo acoplado de fibra

    El módulo acoplado de fibra de 106 um de diodo láser de 915 nm y 130 W ofrece una potencia de salida de hasta 130 W desde una fibra de 106 um. El láser de diodo mantiene su confiabilidad y eficiencia incomparables mediante el acoplamiento de diodos de un solo emisor de alto brillo y alta potencia con un diseño óptico patentado para un acoplamiento de fibra eficiente.
  • 1560 nm 30dB de semiconductor de alta ganancia Amplificador óptico Módulo SOA

    1560 nm 30dB de semiconductor de alta ganancia Amplificador óptico Módulo SOA

    La serie de productos del amplificador óptico (SOA) de semiconductores se usa principalmente para la amplificación de la señal óptica y puede aumentar significativamente la potencia óptica de salida. Los productos cuentan con una alta ganancia, bajo consumo de energía y mantenimiento de polarización, entre otras características, y son completamente procesables con tecnología controlable a nivel nacional.

Enviar Consulta