Fotodiodo InGaAs de 1310 nm/1550 nm Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • Fibra dopada con erbio resistente a la radiación

    Fibra dopada con erbio resistente a la radiación

    La fibra dopada con erbio resistente a la radiación de BoxOptronics tiene buenas características anti-radiación, lo que puede reducir efectivamente el impacto de la radiación de iones de alta energía en la fibra dopada con erbio. La fibra tiene buena consistencia. Puede ser bombeado por 980 nm o 1480 nm, y puede realizar una conexión de baja pérdida con fibra óptica de comunicación.
  • Módulo láser de fibra de pulso de femtosegundo PM de 1560 nm

    Módulo láser de fibra de pulso de femtosegundo PM de 1560 nm

    El módulo láser de fibra de pulso de femtosegundo PM de 1560 nm se ha utilizado ampliamente en los campos de peine de frecuencia óptica, espectro supercontinuo, terahercios THz, etc. Podemos aceptar la personalización del ancho de pulso, potencia, frecuencia de repetición y otros parámetros.
  • Fibra dopada con iterbio de revestimiento simple de 6,5/125 µm

    Fibra dopada con iterbio de revestimiento simple de 6,5/125 µm

    La fibra dopada con iterbio de revestimiento único de 6,5/125 um de área de modo grande de Boxoptronics tiene una alta eficiencia de pendiente y un rendimiento de oscurecimiento de fotones bajo. Esta fibra es muy adecuada para láseres de fibra pulsados ​​y continuos de alta potencia.
  • 1060 nm 25db SOA Semiconductor Amplificador óptico

    1060 nm 25db SOA Semiconductor Amplificador óptico

    La serie de productos de amplificador óptico de semiconductores SOA SOA de 1060nm de 1060 nm se usa principalmente para la amplificación de la señal óptica y puede aumentar significativamente la potencia óptica de salida. Los productos cuentan con alta ganancia, baja potencia El consumo y el mantenimiento de la polarización, entre otras características, y se pueden procesar totalmente con tecnología de control nacional.
  • diodo láser de mariposa de 1531nm 10mW DFB 14PIN para detección de gas de amoníaco NH3

    diodo láser de mariposa de 1531nm 10mW DFB 14PIN para detección de gas de amoníaco NH3

    Diodo láser de mariposa DFB de 14 pines, 1531nm, 10mW, para detección de gas amoniaco NH3, refrigerador termoeléctrico (TEC), termistor, fotodiodo de monitor y aislador óptico incorporados para garantizar un rendimiento láser de alta calidad. Este diodo láser ha sido diseñado principalmente para la detección de amoníaco en aplicaciones de control de emisiones. La excelente capacidad de sintonización hace que este láser sea adecuado para muchas aplicaciones especializadas en entornos hostiles.
  • Módulo amplificador híbrido EDFA Raman

    Módulo amplificador híbrido EDFA Raman

    El módulo amplificador híbrido EDFA Raman se usa ampliamente en la red de comunicación óptica de larga distancia y la detección distribuida de fibra óptica.

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