Fotodiodo InGaAs de 1310 nm/1550 nm Fabricantes

La polarización que mantiene la fibra óptica dopada con tulio doble revestido está diseñada para amplificadores de fibra de ancho de línea estrecho de alta potencia de 2 um de alta potencia que son seguros de los ojos. Al optimizar el dopaje de iones de TM, tiene las características de alta eficiencia de pendiente, coeficiente de alta absorción y alta relación de extinción de polarización cuando se bombea a una longitud de onda de 793 nm.

Los amplificadores de fibra dopada con erbio de banda C de alta potencia 3W 35dBm EDFA (EYDFA-HP) se basan en la tecnología de amplificador de fibra dopada con erbio de doble revestimiento, utilizando un proceso de empaque óptico único, junto con un diseño confiable de protección láser de alta potencia , para lograr una salida láser de alta potencia en el rango de longitud de onda de 1540~1565nm. Con alta potencia y bajo nivel de ruido, se puede utilizar en comunicaciones de fibra óptica, Lidar, etc.

El módulo de diodo láser DFB Pigtail de 1550 nm consta de láseres de retroalimentación distribuida (DFB), que tienen un cable flexible de fibra conectado con precisión para lograr una eficiencia de acoplamiento óptima. Esta versión de longitud de onda central de 1550 nm tiene una potencia de salida típica de 1 mW ~ 4 mW e incluye un fotodiodo de cara posterior y un aislador óptico integrado. El latiguillo de fibra monomodo 9/125 se termina con un conector de fibra óptica estilo FC/APC o FC/PC. Las aplicaciones incluyen sistemas e instrumentación de datos y telecomunicaciones de alta velocidad e instrumentos ópticos que requieren una fuente de luz de diodo láser.

El láser de bomba de amplificador Raman de 1450 nm y 500 mw con enfriador TEC se puede utilizar en investigaciones científicas, experimentos y pruebas de producción, y bombea la fuente óptica del amplificador Raman de fibra.

El chip de fotodiodo InGaAs de 300 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.

El diodo láser de mariposa DFB de 1683 nm y 10 mW para detección de gas etano C2H6 se ha diseñado específicamente para satisfacer los requisitos de la aplicación del sensor. Los dispositivos cuentan con una alta potencia de salida y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. Sus paquetes de mariposa de 14 pines son compatibles con dispositivos SONET OC-48 estándar.