Diodo láser de mariposa DFB de 1567 nm Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200um

    APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200um

    El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
  • 940nm 10mW A CAN VCSEL Diodo láser

    940nm 10mW A CAN VCSEL Diodo láser

    El diodo láser VCSEL TO CAN de 940 nm y 10 mW es un láser estándar de emisión de superficie de cavidad vertical (VCSEL) en paquetes acoplados de fibra listos para usar. está en un paquete pequeño TO56, Modulación y ancho >2GHz. Ofrecemos el diodo láser VCSEL de 940 nm y 10 mW con fibra óptica multimodo de 50 um o fibra óptica de 62,5 um de núcleo.
  • Diodo láser coaxial DFB de 1310 nm con TEC

    Diodo láser coaxial DFB de 1310 nm con TEC

    El diodo láser coaxial DFB de 1310nm con TEC generalmente se aplica para estabilizar o modular la fuente de luz. Además, la fuente láser de alta estabilidad se puede utilizar para probar aparatos y equipos OTDR. El diodo láser está compuesto por un chip CWDM-DFB, un aislador incorporado, un fotodiodo de monitor incorporado y un enfriador TEC, y un conector de fibra óptica SC/APC,SC/PC, FC/APC,FC/PC. Los clientes pueden seleccionar la longitud de la fibra óptica y la definición del pin en función de la demanda real. La potencia de salida está disponible desde 1MW, 1270nm~1610nm CWDM longitud de onda disponible.
  • Chip de 976 nm y 12 W en diodo láser COS de submontaje

    Chip de 976 nm y 12 W en diodo láser COS de submontaje

    El chip de 976 nm y 12 W en diodo láser COS submontado que emplea unión AuSn y paquete P Down con múltiples ventajas de alta confiabilidad, potencia de salida estable, alta potencia, alta eficiencia, larga vida útil y alta compatibilidad, y se aplica ampliamente en el mercado. El paquete de diodos láser submontaje requiere soldadura para disipador de calor correctamente.
  • Fuente de luz de banda ancha ASE de 1850~2000 nm de banda ancha de 2,0 µm de longitud de onda larga

    Fuente de luz de banda ancha ASE de 1850~2000 nm de banda ancha de 2,0 µm de longitud de onda larga

    La fuente de luz de banda ancha ASE de 1850~2000 nm de longitud de onda larga de 2,0 µm de banda se basa en la tecnología de láser de fibra de tulio y tiene una potencia de salida alta.
  • Diodo láser mariposa 1270nm DFB 10mW

    Diodo láser mariposa 1270nm DFB 10mW

    El diodo láser de mariposa de 1270 nm DFB de 10 mW se fabrica en un paquete de mariposa de 14 pines sellado herméticamente. Los diodos láser contienen enfriador termoeléctrico (TEC), termistor, fotodiodo de monitor y aislador óptico para garantizar un rendimiento láser de alta calidad. También tenemos una selección completa del cliente de potencias de salida, tipos de paquetes y fibras de salida de fibras SM, fibras PM y otras fibras especiales, también podemos personalizar la longitud de onda, que cubre desde 1270nm hasta 1650nm.

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