Diodos láser estabilizados PM de 976 nm y 200 mW Fabricantes

El chip de fotodiodo InGaAs de 300 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.

El diodo láser de bomba de mariposa con cola de cerdo estabilizada PM FBG de 976 nm y 600 mW está diseñado como fuente de bomba para aplicaciones de amplificador de fibra dopada con erbio (EDFA). Los procesos y técnicas de acoplamiento de la fibra al láser permiten altas potencias de salida muy estables tanto con el tiempo como con la temperatura. La rejilla está situada en el pigtail para estabilizar la longitud de onda. Los dispositivos están disponibles con potencias de salida sin torceduras de hasta 600 mW. El módulo de bomba de la serie de diodos láser de bomba de mariposa con cola de cerdo estabilizada PM FBG de 976 nm y 600 mW utiliza un diseño de rejilla de fibra de Bragg para mejorar la longitud de onda y el rendimiento de estabilidad de potencia. Este producto ha sido diseñado para garantizar un bloqueo superior de la longitud de onda sobre la corriente del variador, la temperatura y los cambios de retroalimentación óptica.

Los diodos superluminiscentes SLD de 850 nm son una fuente de luz para aplicaciones OCT médicas y oftálmicas, sistemas de transmisión de fibra, giroscopios de fibra óptica, sensores de fibra óptica, tomografía de coherencia óptica y mediciones ópticas. El diodo está empaquetado en un paquete de mariposa estándar de 14 pines con fotodiodo de monitor y refrigerador termoeléctrico (TEC). El módulo está trenzado con polarización monomodo que mantiene la fibra y conectorizado mediante conector FC/APC.

El módulo amplificador de fibra dopada con erbio Pm de alta potencia puede proporcionar un empaque de escritorio o tipo rack de acuerdo con las necesidades de los clientes y aceptar parámetros personalizados.

El láser de diodo acoplado a fibra de 830 nm y 2 W está diseñado para generar productos de gran volumen con alta eficiencia, estabilidad y calidad de haz superior. Los productos se logran transformando la radiación asimétrica del chip de diodo láser en una fibra de salida con un diámetro de núcleo pequeño mediante el uso de microópticas especiales. Los procedimientos de inspección y quemado en todos los aspectos dan como resultado garantizar cada producto con la confiabilidad, estabilidad y larga vida útil.

El amplificador óptico semiconductor SM SOA de 1550 nm y 8 dBm es un amplificador óptico semiconductor con alta ganancia de señal, diseñado para usarse en aplicaciones generales para aumentar la potencia de lanzamiento óptico y compensar la pérdida de otros dispositivos ópticos. El amplificador óptico semiconductor SOA SM de 1550 nm y 8 dBm se puede pedir con entrada/salida de fibra de modo único (SM) o mantenimiento de polarización (PM). Esta versión de módulo es un componente básico ideal para integradores de sistemas, especialmente en redes de comunicación óptica y aplicaciones CATV.