El chip láser pulsado de 905 nm y 50 W, potencia de salida de 50 W, larga vida útil, alta eficiencia, ampliamente utilizado en LiDAR, instrumentos de medición, seguridad, I + D y otros campos.
El chip láser pulsado de 905 nm y 50 W, potencia de salida de 50 W, larga vida útil, alta eficiencia, ampliamente utilizado en LiDAR, instrumentos de medición, seguridad, I + D y otros campos.
El chip láser pulsado de 905 nm y 50 W, potencia de salida de 50 W, larga vida útil, alta eficiencia, ampliamente utilizado en LiDAR, instrumentos de medición, seguridad, I + D y otros campos.
Longitud de onda 905Nuevo Méjico;
Correostencia de pulso 50W;
Excelentes características de haz;
Alta potencia láser;
Alta confiabilidad, larga vida útil;
LiDAR;
Instrumento de medición;
Seguridad;
Investigación científica.
|
Parámetro |
Símbolo |
mín. |
Tipo. |
máx. |
Unidad |
|
Operación |
|||||
|
Centro Wlongitud media |
895 |
905 |
915 |
Nuevo Méjico |
|
|
Pico Osalida Ppoder |
Correos |
50 |
- |
- |
W |
|
Operación Moda |
- |
QCW |
- |
||
|
Ancho de pulso |
t |
- |
200 |
- |
% |
|
Frecuencia |
f |
- |
5 |
- |
KHz |
|
Ciclo de trabajo |
D |
- |
0.1 |
- |
% |
|
Datos electroópticos |
|||||
|
Umbral Cactual |
IJU |
- |
0.7 |
- |
A |
|
Operando Cactual |
IOP |
- |
14 |
- |
A |
|
Operando Vvoltaje |
VOP |
- |
7.6 |
- |
V |
|
Pendiente eeficiencia |
ηD |
- |
3.7 |
- |
WASHINGTON |
|
Eficiencia de conversión total |
η |
- |
47 |
- |
% |
|
lento unxi ddivergencia (FWHM) |
θ‖ |
- |
12 |
- |
grado |
|
rápido unxi Ddivergencia (FWHM) |
θ⊥ |
- |
31 |
- |
grado |
|
Ancho espectral (FWHM) |
Îλ |
- |
5 |
- |
Nuevo Méjico |
|
Coeficiente de temperatura de longitud de onda |
λT |
- |
0.28 |
- |
Nuevo Méjico/℃ |
|
Correoslarización |
- |
- |
TE |
- |
- |
|
LD en funcionamientotemperatura |
- |
- |
25 |
- |
℃ |
|
Geométrico |
|||||
|
Sección transversal de inyección de corrienten |
ancho x alto |
- |
150x10 |
- |
micras2 |
|
Cavidadllongitud |
L |
- |
750 |
- |
micras |
|
Ancho de viruta |
W |
- |
400 |
- |
micras |
|
Altura de la viruta |
H |
- |
150 |
- |
micras |
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R: Tenemos 808nm 830nm 905nm 915nm 975nm.
P: ¿Qué potencia de salida le gustaría?R: Box Optronics puede personalizar según sus requisitos.
Chip desnudo de láser de diodo CW de 808 nm y 10 W
Diodos láser de chip en portador (COC) de 808 nm y 12 W
Chip de 915 nm y 12 W en diodo láser COS de submontaje
Chip desnudo láser de diodo CW de 940 nm y 12 W
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