Diodo láser de fibra flexible DFB SM de 1270 nm con TEC diseñado para sistemas de comunicación de fibra óptica WDM. Estos módulos tienen corriente de umbral bajo y alto rendimiento a alta temperatura. Se monta un diodo láser en un paquete coaxial integrado con un monitor InGaAs PD, TEC y un cable flexible monomodo. La potencia de salida está disponible desde 1MW, 1270nm~1610nm CWDM longitud de onda disponible.
Diodo láser de fibra flexible DFB SM de 1270 nm con TEC diseñado para sistemas de comunicación de fibra óptica WDM. Estos módulos tienen corriente de umbral bajo y alto rendimiento a alta temperatura. Se monta un diodo láser en un paquete coaxial integrado con un monitor InGaAs PD, TEC y un cable flexible monomodo. La potencia de salida está disponible desde 1MW, 1270nm~1610nm CWDM longitud de onda disponible.
Diodo láser de fibra flexible DFB SM de 1270 nm con TEC diseñado para sistemas de comunicación de fibra óptica WDM. Estos módulos tienen corriente de umbral bajo y alto rendimiento a alta temperatura. Se monta un diodo láser en un paquete coaxial integrado con un monitor InGaAs PD, TEC y un cable flexible monomodo. La potencia de salida está disponible desde 1MW, 1270nm~1610nm CWDM longitud de onda disponible.
longitud de onda de 1270nm;
>2mW de potencia de salida;
Opcional con aislador;
Bajo umbral, alta eficiencia de pendiente y alta potencia de salida LD;
TEC, termistor y monitor PD integrados;
Fibra monomodo trenzada con conector SC, FC, ST o LC.
Sistema de transmisión óptica de alta velocidad;
Equipos de prueba;
Telecomunicación;
Otro sistema de transmisión analógica.
| Parámetro | Símbolo | Condición | mín. | tip. | máx. | Unidad |
| Longitud de onda central | λC | CW, PO=FP | 1267 | 1270 | 1273 | Nuevo Méjico |
| Potencia de salida óptica | FP | CW, Si=30mA | 2 | - | - | mW |
| Umbral de corriente | ITH | CW | - | 8 | 15 | mamá |
| CW,T=85℃ | - | - | 50 | |||
| Tensión de funcionamiento | FV | - | - | 1.2 | 1.5 | V |
| Tiempo de subida/Tiempo de caída (20-80%) | TR/FT | SI = ITH, PO = PF, 50 ohmios | - | - | 0.2 | ns |
| Supervisar la corriente | YO SOY | CW, PO = FP | 0.1 | - | 1 | mamá |
| Capacidad | C | - | - | 10 | 15 | FP |
| Ancho espectral (-20dB) | Δλ | CW, Si=30mA | - | 0.32 | - | Nuevo Méjico |
| Eficiencia de pendiente | SE | CW, Si=30mA | 0.1 | - | - | WASHINGTON |
| Error de seguimiento | TE | Im=Constante&If= Ith+20mA | -1.5 | - | 1.5 | dB |
| Aislamiento óptico | YO ASI | - | 30 | - | - | dB |
| Relación de supresión de modo lateral | SMSR | CW, Si=Ith+20mA | 30 | 40 | - | dB |
| TEC | Qmáx | - | - | - | 0.6 | W |
| Imax | - | - | - | 0.9 | A | |
| Vmax | - | - | - | 1.2 | V | |
| ΔT | 40 | - | - | K | ||
| Resistencia del termistor | derecho | - | - | 10 | - | kΩ |
| Ruido de intensidad relativa | Rin | - | - | - | -145 | dB/Hz |
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R: Tenemos diodo láser de 793nm 808nm 915nm 975nm.
P: ¿Cuál es el requisito para la potencia de salida?R: La caja optrónica se puede personalizar según sus requisitos.
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