Fotodiodos

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  • El chip de fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1 mm ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, el chip de fotodiodo PIN InGaAs/InP de 1 mm es ideal para aplicaciones de redes ópticas de gran ancho de banda de 1310 nm y 1550 nm. La serie de dispositivos ofrece alta capacidad de respuesta, baja corriente oscura y gran ancho de banda para un diseño de receptor de alto rendimiento y baja sensibilidad. Este dispositivo es ideal para los fabricantes de receptores ópticos, transpondedores, módulos de transmisión óptica y combinación de fotodiodo PIN y amplificador de transimpedancia.

  • El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um es un fotodiodo con ganancia interna producida por la aplicación de un voltaje inverso. Tienen una mayor relación señal-ruido (SNR) que los fotodiodos, así como una respuesta de tiempo rápida, baja corriente oscura y alta sensibilidad. El rango de respuesta espectral suele estar entre 900 y 1650 nm.

  • El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 200 um está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.

  • El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de área grande de 500 um está especialmente diseñado para tener una baja oscuridad, baja capacitancia y alta ganancia de avalancha. Usando este chip se puede lograr un receptor óptico con una alta sensibilidad.

  • El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 50 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 900 a 1700 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.

  • El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 200 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 1100 a 1650 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.

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