diodo láser DFB de 1064 nm Fabricantes

Las fibras Raman de fósforo altamente dopadas de Boxoptronics están diseñadas para láseres y amplificadores Raman eficientes que funcionan en el rango espectral de 1,1-1,6 µm. La principal ventaja de la fibra dopada con fósforo es el valor de cambio Raman tres veces mayor en comparación con la fibra dopada con germanio. Esta característica puede simplificar en gran medida el diseño de amplificadores y láseres de fibra Raman.

El diodo láser de bomba de mariposa con cola de cerdo estabilizada PM FBG de 976 nm y 600 mW está diseñado como fuente de bomba para aplicaciones de amplificador de fibra dopada con erbio (EDFA). Los procesos y técnicas de acoplamiento de la fibra al láser permiten altas potencias de salida muy estables tanto con el tiempo como con la temperatura. La rejilla está situada en el pigtail para estabilizar la longitud de onda. Los dispositivos están disponibles con potencias de salida sin torceduras de hasta 600 mW. El módulo de bomba de la serie de diodos láser de bomba de mariposa con cola de cerdo estabilizada PM FBG de 976 nm y 600 mW utiliza un diseño de rejilla de fibra de Bragg para mejorar la longitud de onda y el rendimiento de estabilidad de potencia. Este producto ha sido diseñado para garantizar un bloqueo superior de la longitud de onda sobre la corriente del variador, la temperatura y los cambios de retroalimentación óptica.

El diodo láser de bombeo de 974 nm y 600 mW está diseñado como fuente de bombeo para aplicaciones de amplificador de fibra dopada con erbio (EDFA). Los procesos y técnicas de acoplamiento de la fibra al láser permiten altas potencias de salida muy estables tanto con el tiempo como con la temperatura. La rejilla se encuentra en la cola de cerdo para estabilizar la longitud de onda. Los dispositivos están disponibles con potencias de salida sin torceduras de hasta 600 mW. El módulo de bomba de la serie de diodos láser de bomba de mariposa con cola de cerdo estabilizada PM FBG de 976 nm y 600 mW utiliza un diseño de rejilla de Bragg de fibra para mejorar el rendimiento de estabilidad de potencia y longitud de onda. Este producto ha sido diseñado para garantizar un bloqueo de longitud de onda superior sobre los cambios de retroalimentación óptica, la temperatura y la corriente del controlador.

El diodo láser de ancho de línea estrecho con paquete de mariposa DFB de 1550nm 40mW 600Khz se basa en un único chip DFB único, adopta un diseño de chip único, tecnología de empaquetado avanzada, tiene un ancho de línea bajo y un ruido de intensidad relativa, y tiene baja sensibilidad a la longitud de onda y corriente de trabajo. El dispositivo adopta un paquete de mariposa estándar de 14 pines, con alta potencia de salida, alta estabilidad, alta confiabilidad.

El chip de fotodiodo de avalancha InGaAs de 50 um es un fotodiodo con ganancia interna producida por la aplicación de un voltaje inverso. Tienen una mayor relación señal-ruido (SNR) que los fotodiodos, así como una respuesta de tiempo rápida, baja corriente oscura y alta sensibilidad. El rango de respuesta espectral suele estar entre 900 y 1650 nm.

Como fabricante profesional, nos gustaría ofrecerle un módulo láser de bomba de 974nm y 976nm. Y le ofreceremos el mejor servicio postventa y entrega oportuna.