Módulo amplificador EDFA de alta potencia de 1 W Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 50 um

    APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 50 um

    El APD de fotodiodos de avalancha InGaAs de 50 um es el APD InGaAs más grande disponible comercialmente con alta capacidad de respuesta y tiempo de subida y bajada extremadamente rápido en todo el rango de longitud de onda de 900 a 1700 nm, la capacidad de respuesta máxima a 1550 nm es ideal para aplicaciones de telémetro seguras para eys, comunicaciones ópticas de espacio libre, OTDR y tomografía de coherencia óptica. El chip está sellado herméticamente en un paquete TO modificado, también está disponible la opción con cola de cerdo.
  • Chip de diodo láser CW de alta potencia de 940 nm y 20 W

    Chip de diodo láser CW de alta potencia de 940 nm y 20 W

    El chip de diodo láser CW de alta potencia de 940 nm y 20 W, potencia de salida de 20 W, larga vida útil, alta eficiencia, ampliamente utilizado en bombas industriales, iluminación láser, investigación y desarrollo y otros campos.
  • Módulo láser de fibra de alta potencia 5w 1570nm para fuente de láser de bomba

    Módulo láser de fibra de alta potencia 5w 1570nm para fuente de láser de bomba

    El módulo láser de fibra de 5w 1570nm de alta potencia para fuente de láser de bomba adopta un chip láser semiconductor DFB, salida de fibra monomodo, diseño profesional del circuito de conducción y control TEC para garantizar el funcionamiento seguro y estable del láser.
  • Diodo láser de mariposa DFB de ancho de línea estrecho de 1550nm 50mW 100Khz

    Diodo láser de mariposa DFB de ancho de línea estrecho de 1550nm 50mW 100Khz

    El diodo láser mariposa DFB de ancho de línea estrecho de 1550 nm, 50 mW, 100 Khz se basa en un chip DFB único, adopta un diseño de chip único, tecnología de empaque avanzada, tiene un ancho de línea bajo y un ruido de intensidad relativa, y tiene baja sensibilidad a la longitud de onda y la corriente de trabajo. El dispositivo adopta un paquete de mariposa estándar de 14 pines, con alta potencia de salida, alta estabilidad y alta confiabilidad.
  • Chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500 um

    Chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500 um

    El chip de fotodiodo PIN InGaAs de 500 um ofrece una excelente respuesta de 900 nm a 1700 nm, perfecto para telecomunicaciones y detección de infrarrojo cercano. El fotodiodo es perfecto para aplicaciones de alto ancho de banda y alineación activa.
  • Diodos láser de mariposa DFB de 1590nm, fibra SM de 14 pines o fibra PM

    Diodos láser de mariposa DFB de 1590nm, fibra SM de 14 pines o fibra PM

    Diodos láser de mariposa DFB de 1590nm Fibra SM de 14 pines o fibra PM es fibra acoplada con fibra óptica monomodo. Las potencias de salida de CW dependen de la longitud de onda y se encuentran entre 2 mW y 40 mW. La cavidad de retroalimentación distribuida produce un ancho de línea de solo 0,1 nm.

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