Módulo amplificador EDFA de alta potencia de 1 W Fabricantes

Nuestra fábrica ofrece módulos láser de fibra, módulos láser ultrarrápidos, láseres de diodo de alta potencia. Nuestra empresa adopta tecnología de proceso extranjera, cuenta con equipos avanzados de producción y prueba, en el paquete de acoplamiento de dispositivos, el diseño del módulo tiene la tecnología líder y la ventaja de control de costos, así como el sistema de garantía de calidad perfecto, puede garantizar proporcionar el alto rendimiento para el cliente , Productos optoelectrónicos de calidad confiable.

Productos

  • Diodo láser DFB de 1390nm Fibra SM TEC

    Diodo láser DFB de 1390nm Fibra SM TEC

    El TEC de fibra de diodo láser SM DFB de 1390nm se aplica generalmente para estabilizar o modular la fuente de luz. Además, la fuente láser de alta estabilidad se puede utilizar para probar aparatos y equipos OTDR. El diodo láser está compuesto por un chip CWDM-DFB, un aislador incorporado, un fotodiodo de monitor incorporado y un enfriador TEC, y un conector de fibra óptica SC/APC,SC/PC, FC/APC,FC/PC. Los clientes pueden seleccionar la longitud de la fibra óptica y la definición del pin en función de la demanda real. La potencia de salida está disponible desde 1MW, 1270nm~1610nm CWDM longitud de onda disponible.
  • Diodo láser de bomba de 915 nm y 20 W Diodo láser acoplado de fibra de 105 µm

    Diodo láser de bomba de 915 nm y 20 W Diodo láser acoplado de fibra de 105 µm

    El diodo láser de bomba de 915 nm y 20 W Diodo láser acoplado de fibra de 105 µm se ha desarrollado para aplicaciones de bombeo, médicas o de procesamiento de materiales. Este láser de diodo ha sido diseñado para brindar una potencia de salida muy alta para el mercado de láser de fibra y para los fabricantes de sistemas directos con una configuración de bomba más compacta. Varias potencias de salida están disponibles. Longitudes de onda y configuraciones personalizadas disponibles a pedido.
  • Láser de diodo acoplado de fibra 830nm 2W 50um

    Láser de diodo acoplado de fibra 830nm 2W 50um

    El láser de diodo acoplado de fibra de 830 nm, 2 W y 50 um está diseñado para producir productos de gran volumen con alta eficiencia, estabilidad y calidad de haz superior. Los productos se logran transformando la radiación asimétrica del chip de diodo láser en una fibra de salida con un diámetro de núcleo pequeño mediante el uso de microópticas especiales. Los procedimientos de inspección y quemado en todos los aspectos dan como resultado garantizar cada producto con la confiabilidad, estabilidad y larga vida útil.
  • Fibra dopada con erbio de banda L

    Fibra dopada con erbio de banda L

    La fibra dopada con erbio de banda L está dopada y optimizada para amplificadores de fibra monocanal y multicanal de banda L, fuentes de luz ASE, redes de área metropolitana, CATV y EDFA para DWDM. Un alto dopaje puede reducir la longitud de la fibra de erbio, reduciendo así el efecto no lineal de la fibra. La fibra se puede bombear a 980 nm o 1480 nm y tiene baja pérdida y buena consistencia con las conexiones de fibra de comunicación.
  • diodo láser de mariposa de 1531nm 10mW DFB 14PIN para detección de gas de amoníaco NH3

    diodo láser de mariposa de 1531nm 10mW DFB 14PIN para detección de gas de amoníaco NH3

    Diodo láser de mariposa DFB de 14 pines, 1531nm, 10mW, para detección de gas amoniaco NH3, refrigerador termoeléctrico (TEC), termistor, fotodiodo de monitor y aislador óptico incorporados para garantizar un rendimiento láser de alta calidad. Este diodo láser ha sido diseñado principalmente para la detección de amoníaco en aplicaciones de control de emisiones. La excelente capacidad de sintonización hace que este láser sea adecuado para muchas aplicaciones especializadas en entornos hostiles.
  • Láser de fibra de pulso de femtosegundo de 780 nm para imágenes multifotónicas

    Láser de fibra de pulso de femtosegundo de 780 nm para imágenes multifotónicas

    Láser de fibra de pulso de femtosegundo de 780 nm para imágenes multifotónicas utiliza la última tecnología láser de femtosegundo para lograr una salida estable de láser de pulso de femtosegundo de 780 nm. Con las características de pulso láser estrecho y alta potencia máxima.

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