Cable flexible de fotodiodo InGaAs Fabricantes

Ancho de línea láser, el ancho total a la mitad del máximo del espectro de emisión de la fuente de luz láser, es decir, la mitad de la altura del pico (a veces 1/e), que corresponde al ancho entre las dos frecuencias.

Desde la invención del primer láser semiconductor del mundo en 1962, el láser semiconductor ha experimentado cambios tremendos, promoviendo en gran medida el desarrollo de otras ciencias y tecnologías, y se considera uno de los mayores inventos humanos del siglo XX. En los últimos diez años, los láseres semiconductores se han desarrollado más rápidamente y se han convertido en la tecnología láser de más rápido crecimiento en el mundo. El rango de aplicación de los láseres semiconductores cubre todo el campo de la optoelectrónica y se ha convertido en la tecnología central de la ciencia optoelectrónica actual. Debido a las ventajas de tamaño pequeño, estructura simple, baja energía de entrada, larga vida, fácil modulación y bajo precio, los láseres semiconductores son ampliamente utilizados en el campo de la optoelectrónica y han sido muy valorados por países de todo el mundo.

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DWDM (multiplexación por división de longitud de onda densa): es la capacidad de combinar un grupo de longitudes de onda ópticas con una sola fibra óptica para la transmisión. Esta es una tecnología láser utilizada para aumentar el ancho de banda en las redes troncales de fibra óptica existentes. Más precisamente, la tecnología consiste en multiplexar el espaciamiento espectral estrecho de una sola portadora de fibra en una fibra específica para utilizar el rendimiento de transmisión alcanzable (por ejemplo, para lograr el grado mínimo de dispersión o atenuación). De esta forma, bajo una capacidad de transmisión de información dada, se puede reducir el número total de fibras ópticas requeridas.

El láser de emisión de superficie de cavidad vertical es una nueva generación de láser semiconductor que se ha desarrollado rápidamente en los últimos años. La denominada "emisión de superficie de cavidad vertical" significa que la dirección de emisión del láser es perpendicular al plano de escisión o a la superficie del sustrato. Otro método de emisión correspondiente se denomina "emisión de borde". Los láseres semiconductores tradicionales adoptan un modo de emisión de borde, es decir, la dirección de emisión del láser es paralela a la superficie del sustrato. Este tipo de láser se llama láser de emisión de bordes (EEL). En comparación con EEL, VCSEL tiene las ventajas de buena calidad de haz, salida monomodo, alto ancho de banda de modulación, larga vida útil, fácil integración y pruebas, etc., por lo que se ha utilizado ampliamente en comunicaciones ópticas, visualización óptica, detección óptica y otros. campos.